一、主輔源結構

主輔源采用反激變換器拓撲，輸入供電有母線供電、電池輔源供電、電網輔源供電。開關管為一個高耐壓NMOS功率管。主控芯片采用ICE3BS03LJG，其主要參數如下：

器件芯片引腳分布如下：

在本電路中1號引腳串聯100nF電容接到器件的8號引腳GND，也是整個反激電路原邊的地。2號引腳為閉環控制的反饋信號接入端，調控器件的輸出。3號CS引腳為電路的電流保護引腳，切記一定要串聯一個小電阻（幾百毫歐）接地，同時并聯一個幾納法的電容接地，去除干擾，防止誤保護。4號引腳為柵極控制信號輸出端，可串聯柵極電阻，或者并聯電阻電容調節管子開關速度。5號引腳HV輸入提供過壓和欠壓保護。7號引腳VCC為芯片電源，一般通過輔助繞組供電。8號引腳為整個芯片的參考電位。

二、芯片周圍各個引腳電路設計

1.BL引腳

通過一個電容接地。

2.反饋引腳

閉環電路中最重要的控制電路之一，一下展開詳細分析。

通過光耦三極管實現了輸出電壓采樣和反饋回路的隔離，實現了功率回路和控制回路的隔離，低壓側和高壓側的隔離。其次是反饋回路中的關鍵器件TL431，它可以看作一個電壓基準芯片，其由一個 2.5V 精密基準電壓源、一個電壓比較器和一個輸出開關管組成，基準端的輸出電壓與精密基準電壓源比較，當參考端電壓超過2.5V時，TL431立即開啟。

在上圖所示的電路中，10k、30k和10k的電阻串聯，確定了輸出電壓穩定時為12V，其對輸出電壓進行分壓從而引入反饋。如果輸出增大，反饋量增加，TL431 的三極管分流增加，導致電阻分壓增大。進而導致 V0 下降。顯然，當參考端電壓等于參考電壓時，這個深度的負反饋電路一定是穩定的，此時 V0=(1+R1/R2)Vref。

需要注意的是，選擇電阻時必須保證 TL431 工作的必要條件，即通過陰極的電流必須大于1mA。

3.過流保護引腳

先通過1nf電容接地，濾除掉高頻干擾；之后通過一個100Ω電阻和三個0.82Ω電容串聯組成過流檢測電路。

4.柵極驅動輸出電路

串聯10Ω柵極電阻，其次在柵極和源極之間并聯一個10Ω電阻和1nf電容串聯電路，增大器件的導通時間，減小dv/dt；其次在柵極電阻兩端并聯一個肖特基二極管串聯10歐姆電阻電路。

5.HV欠壓保護，高壓啟動電路

電阻分壓，高壓啟動。

7.VCC供電電路

輔助繞組取電，整流，穩壓二極管穩壓。