USB PD+TYPE -C快充電源中MOSFET選型,USB PD應用市場包含智能手機,平板電腦,筆記本電腦,游戲本,移動硬盤,數碼相機,電動工具等傳統領域

USB PD全稱為USB Power Delivery,是由USB-IF組織制定的一種快速充電協議,也是目前市場非常看好的一種協議,可以支持輸出功率高達100W;Type-C是一種接口規范,能夠支持傳輸更大的電流。USB PD應用市場不僅包含智能手機,平板電腦,筆記本電腦,游戲本,移動硬盤,數碼相機,電動工具等傳統領域,而且在未來的VR,智能家居等新興領域也將有一席之地。多樣化的應用場景帶來了無限可能和商機。
目前市場上常見的PD 快充有18W、25W、30W、45W、65W;輸出電壓有5V、9V、12V、15V、20V。(100W、120W也有一定的需求量,這個后面專門來介紹,此篇主要講65W及65W以內功率段的,這個功率段的一般會用flyback拓撲來做,超過這個功率段的所用的拓撲結構不一樣,MOS管選型將有很大的差異)。
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PD快充原理圖

由上圖可以看到:PD快充電源中有3個地方會用到MOSFET,紅色箭頭位置,初級主芯片PWM開關(Q1),次級同步整流管SR(U2),次級輸出控制開關Vbus(Q3)。初級會用到高壓MOS,次級用到低壓MOS。我們分別來講講這三個地方所用MOS管應該注意哪些方面。

1.次級輸出開關控制Vbus

該位置無開關頻率,作用是控制輸出端的通與斷,對MOS管的要求是低導通內阻,小封裝。P管和N管都會用到,用P管還是N管主要看協議芯片定義的是P管還是N管。導通內阻Rds_on一般在2mR-20mR,耐壓Bvdss一般選取30V或者40V足夠,常用的是30V。封裝形式用DFN33,SOP-8,DFN56(相對較少,應用在輸出電流較大的場合)。

這部分應用的常用料號如下表:
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2.次級同步整流SR

該電路有很高的開關頻率,一般是50-80KHZ,高的甚至達到上百KHZ的頻率,峰值電流和電壓都比較大,所以對MOS管有以下要求:

1.低導通內阻;

2.低結電容;

3.較強的Eas能力。

對于18W-30W快充,一般MOS管都是集成到同步整流芯片里面去的(蘋果的快充都是選擇外推的形式,這種形式對于可靠性和溫升會更好)。

30W-65W這個功率段,同步整流MOS一般會選擇外推的形式來做。這塊應用,對于MOS管可以從以下幾個方面來選取:

A.耐壓值的選取:一般選取的規格有60V、80V、100V、120V以及150V,常用的是60V、100V、120V和150V。具體值是根據輸出電壓來決定的,比如說如果只有5V、9V檔輸出,一般情況下60V耐壓值足夠;如果輸出電壓包含12V、15V、20V,那至少選取100V以上耐壓,這個都是根據實際的電路拓撲結構和輸入電壓范圍得出的(輸入電壓范圍,變壓器漏感,匝比,工藝,電路拓撲,吸收電路,開關頻率等都會影響到這個尖峰值);

B.導通內阻選取:一般會選擇3mR-15mR不等,根據功率來分,18W-30W,一般內阻在9-12mR不等;30W-45W,一般內阻在6mR-10mR不等,45W以上,3mR-7mR不等。這里需要說明的是,不同的封裝,同樣的晶圓,所能支持的功率也不相同。就拿GT52N10這顆料來說,DFN5*6能夠支持的功率在30W到45W,但TO-220封裝的能支持的功率能達到65W(特殊要求除外,比如說結構很緊湊的)。當然,客戶產品空間大小,散熱條件等這些都會影響到內阻的選取。總而言之,內阻的選取是能效,溫升,還有性價比的綜合考量;

C.開啟電壓Vth選取:理論上來講,開啟電壓典型值在1.5-2V是比較理想的,是因為要考慮5V輸出的時候要保證MOS管工作在飽和狀態,而PD快充輸出電壓又會有5V輸出。特別要強調的是,對于Vth開啟電壓這個參數,很多工程師都有一個誤區,覺得只要給到的驅動電壓達到規格書上標稱那個值就可以了,實際上這是一個很大的錯誤。

我們要從開啟電壓的定義來看就不難理解了:Vth指當DS通過250uA電流時,加在G、S兩端的電壓,這個值就是開啟電壓。也就是說此時MOS管的負載電流只有250uA,而實際應用情況是電流會遠大于250uA,如果給的驅動電壓不夠,管子將處在放大狀態,很容易導致熱擊穿。一般建議Vgs給的電壓在典型值2.5倍以上,基本可以讓管子處在開關狀態。市面上我們也會看到很多在這塊應用的MOS的開啟電壓典型值達到了3V,但也能使用,為什么?這個就是由同步整流驅動IC來決定的,高開啟能不能用,取決于同步整流IC的驅動電壓。

D.結電容的選取:PD應用這塊因為功率比較小,一般都是選擇Flyback反激這種拓撲結構來做,工作頻率在50-80K不等,頻率不是很高,所以對結電容一般沒有明確要求,當然,肯定不能太大。太大會增加開關損耗,那么電源的效率也會更低;結電容太小會影響EMI,所以需要折中考慮的,兼顧能效和EMI。同步整流MOS主要用到的封裝形式有DFN5*6,SOP-8,TO-220,TO-252,TO-251等,不同的客戶會選擇不同的封裝形式,并沒有統一的,主要是看客戶的產品的空間位置大小,價格等綜合因素的考量。

同步整流應用常用料號如下表:
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3.初級PWM開關管

PWM開關管的選取:高壓MOS,一般會選擇Coolmos電壓有600V、650V、700V,主要是650V的。電流一般選取4A或者7A的,靠近100W的會選取11A的。電壓的選取是要根據實際測試的效果來看,650V的居多,這個與變壓器的設計有很大關系。電流的選取主要是看效率和溫升的實際測試情況來做調整。

例如以下Coolmos:
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