SSD的存儲介質是什么，它就是NAND閃存。那你知道NAND閃存是怎么工作的嗎？其實，它就是由很多個晶體管組成的。這些晶體管里面存儲著電荷，代表著我們的二進制數據，要么是“0”，要么是“1”。NAND閃存原理上是一個CMOS管，有兩個柵極，一個是控制柵極(Control Gate), 一個是浮柵(Floating Gate). 浮柵的作用就是存儲電荷，而浮柵與溝道之間的氧化層(Oxide Layer)的好壞決定著浮柵存儲電荷的可靠性，也就是NAND閃存的壽命。

目前市面上主要流通的就是4種NAND類型：SLC、MLC、TLC、QLC。隨著每個壽命從高到低依次是SLC>MLC>TLC>QLC.

以TLC 3D NAND為例，當一個存儲單元需要存儲多位信息時，這些位會被賦予不同的編程延遲，以允許在相同單元內區分它們。

在這種情況下，LSB、CSB和MSB是根據它們的編程延遲來定義的：

• LSB (Least Significant Bit)：最低有效位，這是在同一個存儲單元中編程延遲最小的位。對于3位的TLC NAND閃存來說，LSB通常是第一個被寫入的位，因為它的編程閾值最低。

• CSB (Central Significant Bit)：中央有效位，位于LSB和MSB之間，其編程延遲介于兩者之間。在某些編程模式下，CSB可能是在LSB之后緊接著被編寫的位。

• MSB (Most Significant Bit)：最高有效位，具有最高的編程閾值，在同一存儲單元中的編程延遲最大。因此，它是最后被編寫的位。

上面Vt分布中，理想情況是每個狀態都有數據的均勻分布。實際情況，是隨著我們對NAND寫入數據pattern的不一樣，對NAND本身可靠性差異也很大。

• Case1: 寫入全是1的數據，寫入數據的數據，全部集中在3態。這個時候，FN隧穿效應最為嚴重（“Fowler-Nordheim stress”，這是一種由于強電場導致的隧道氧化層中的應力。在閃存的操作過程中，這種應力可能導致隧道氧化層的損壞，從而影響閃存的性能和壽命）

• Case2: 分布在1態和3態，這種情況下用ISPP(Incremental Step Pulse Programming)脈沖編程會有影響，導致1態向3態偏移嚴重。

• Case3: 是最理想的情況，每個狀態的比例完全均勻分布。對NAND的可靠性提升是最友好的。