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二極管

硅二極管：死區電壓：0.5V，正向導通壓降為0.7V，硅二極管的反向電流更小

鍺二極管：死區電壓：0.1V，正向導通壓降為0.2V，對溫度的穩定性較差，儲量也少，不如沙子，雖然看下圖的效果是不錯。

二極管常見的幾個參數：
最大整流電流：長期運行時，允許通過的最大正向平均電流，否則會過熱燒壞
反向擊穿電壓：芯片手冊上的最高反向工作電壓約為擊穿電壓的一般，保證安全運行
反向電流：未擊穿時的反向電流，越小代表單向導電性越好，溫度升高會增加反向電流
極間電容：高頻或開關狀態應用的時候要考慮
反向恢復時間：由于PN結電容效應，二極管電壓極性反轉的時候，會產生較大的反向電流，之后才能截止

I_RM：最大反向恢復電流，T_RR：反向恢復時間

二極管電路分析方法

圖解法就不介紹了，只適合一些簡單的二極管電路，沒啥用，還要知道二極管的I-V曲線才能計算，不如根據實際工程使用簡化模型進行分析

理想模型

正向導通壓降為0，反向導通壓降為無窮

恒壓降模型

二極管導通后，硅二極管恒壓降0.7V，鍺二極管恒壓降0.2V，這個時候電流是大于等于1mA的

折線模型

在恒壓降模型上，加入了一個內阻，更準確一些。
r_D =200歐姆 （不變的）V_th=0.5V
電源電壓遠大于二極管壓降的時候，恒壓降模型和折線模型沒啥區別，但是恒壓降模型更簡單，主要還是看你所要計算的精度了。

小信號模型

前三個是大信號模型，僅考慮小信號變化時所建立的模型稱為小信號模型，電路在一定的直流工作情況下再疊加一個小的變化狀態。應用在更細致的分析中：

如果串聯了一個交流小信號源V_s，我們把只有V_DD工作時候的狀態稱為靜態。

當V_s=V_m sin wt時（V_m<<V_DD）

實際工作中會在Q‘和Q’‘之間移動

高頻/開關

r_s表示半導體電阻（忽略不計），r_d表示結電阻、C_D擴散電容、C_B勢壘電容、
常用模型中Cd包括擴散電容和勢壘電容的效果

正向偏置：rd較小，c_d取決于擴散電容
反向偏置：rd較大，c_d取決于勢壘電容

二極管應用

整流

半波整流電路：

限幅/鉗位

開關

常采用假設法：（說白了就是碰運氣分析，把所有能工作的情況分析一次）
假設二極管截止，相當于開路，分析其電壓對不對，是否能讓其截止
假設二極管導通，計算其電流值，是否大于0

齊納二極管

專門用于穩壓，又叫穩壓管，反接在電路中，利用其反向擊穿的特性，這個時候其電壓近乎穩定在一定值，電流會有明顯增大（所以需要限流），圖上的r_z只有在穩壓值較大的時候可以忽略，一般情況下都忽略了

并聯式穩壓電路：這里的R是限流電阻，將穩壓管的電流限制在一定范圍內，芯片手冊會給穩定電流的范圍，電流太小了可能無法擊穿

穩壓狀態下的等效電路：

變容二極管

結電容隨反向電壓的增加而減小，一般在5~300PF之間，例如：彩電的電子調諧器，利用直流電壓控制二極管結結電容量實現改變諧振頻率

肖特基二極管

又稱金屬-半導體二極管，表面勢壘二極管
特點：
電容效應特別小、工作速度非常快，適合高頻或開關
正向導通門坎電壓和壓降都比較低，但同時其反向擊穿電壓較低，反向漏電流也較大

光電器件

光電二極管

將光轉換為電，反向電流和照度成正比

下圖為電路模型：也就是有相當有一個恒流源

不同照度下的電流：（靈敏度0.1uA/lx）

發光二極管

工作電流一般在幾mA到幾十mA之間，應用在光纜傳輸脈沖信號，與光電二極管配合完成信號傳遞

激光二極管

產生相干的單色光信號，適合光纜傳輸，主要發射的是紅外線，應用在DVD播放機和光驅，激光打印機的打印頭

太陽能電池

光照射的時候會產生光電流