博眾測控 | 一文看懂菊水電源產品在半導體測試中的應用

01 半導體在各行業上的應用

半導體作為現代工業體系的“核心神經”,其性能參數與應用場景深度綁定,不同行業因核心設備的功能需求差異,對半導體的電流、電壓承載能力及類型選擇有著明確且嚴格的要求,具體應用細節如下:

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1.UPS(不間斷電源):保障關鍵設備斷電無縫供電,用FET、二極管,Max電流2~100A、額定電壓600~1000V,需快速響應;

2.通信伺服器:支撐數據傳輸,用FET、IGBT、二極管,Max電流0.5~10A、額定電壓600V,需低功耗抗干擾;

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3.新能源汽車:驅動動力轉換,用FET、IGBT、二極管,Max電流50~200A、額定電壓650~2000V,需高功率耐惡劣環境;

4.光伏發電:實現直流轉交流,用FET、IGBT、二極管,Max電流75A、額定電壓600~1200V,需低損耗耐高溫;

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5.高鐵:提供牽引動力,用IGBT、二極管,Max電流>200A、額定電壓>5kV,需超高壓大電流抗振動;

02 半導體行業應用案例

本文圍繞功率半導體與IC(集成電路)兩大核心品類展開,結合不同場景下的性能需求與測試痛點,搭配菊水專用設備形成針對性方案,確保半導體在實際工況中穩定可靠。

一、功率半導體測試案例

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功率半導體是新能源汽車、光伏發電、高鐵等領域的“動力轉換核心”,需應對高電壓沖擊、大電流發熱、瞬時工況波動等挑戰,測試重點集中在開關特性、熱穩定性、可靠性上,典型案例包括:

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1、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)

IGBT是逆變器、牽引系統的核心元件,其開關速度(尤其是下降時間Tf)直接影響能量轉換效率——Tf過長會導致開關損耗增加、設備發熱嚴重,因此需精準測量。

測試條件:模擬實際應用中的高壓大電流場景,設定集電極-發射極電壓(Vce)=600V、集電極電流(Ic)=30A;Tf定義為電流從90%額定值(27A)降至10%額定值(3A)的時間,需捕捉毫秒級內的電流變化。

設備方案:采用直流電源PWX提供穩定的600V直流電壓(Vcc),搭配高速雙極電源PBZ生成瞬時電流信號;通過示波器同步監測柵極-發射極電壓(VGE)、VCE及電流(Ic)波形,清晰呈現Tf階段的電壓電流變化曲線(如Ch1監測VGE、Ch2監測VCE、Ch3監測Ic),確保測試數據精準可追溯。

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核心目的:驗證IGBT在高壓大電流下的開關響應速度,避免因Tf異常導致的逆變器效率低、設備過熱問題,適配新能源汽車電機驅動、光伏逆變器等場景。

2.MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)

MOSFET在大功率開關電源、車載電路中廣泛應用,其大電流下的發熱問題是性能瓶頸——電流可達幾百A,若散熱不佳會導致導通電阻增大、電流承載能力下降,需針對性測試。

發熱特性測試:采用“100μs脈沖供電”模擬瞬時高負荷工況(避免持續供電導致的溫度累積誤差),通過直流電源PWX+高速雙極電源PBZ施加脈沖電流,監測不同脈沖周期內MOSFET的溫度變化;若發熱影響顯著,會出現“高電壓側電流降低”的現象,為散熱設計提供數據依據。

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ID-VDS特性測試:在25℃環境下,固定不同柵極電壓(Vg=5V/6V/7V/8V/10V/15V),測量漏極電流(ID)隨漏源電壓(VDS)的變化曲線;結果顯示,Vg越高,ID飽和值越大,但高VDS區間(如3~5V)的ID衰減程度與發熱相關,可直觀判斷MOSFET在不同柵壓下的電壓耐受與電流輸出能力。

核心目的:確保MOSFET在車載充電器、工業開關電源等場景中,既能承受瞬時大電流,又能通過發熱控制維持穩定性能。

3.共性測試:PID測試、接點溫度特性評估、過渡熱測試

PID測試:針對車載半導體設計,需模擬車輛行駛中的溫度波動(如發動機散熱導致的半導體溫度變化)。采用薄型寬量程可變開關型電源PWX系列,通過LAN高速通信連接時序制作軟件(WavyforPWX),控制電流輸出模擬實車溫度變化,同時用數據記錄器監測半導體溫度,重現“溫度-電流”關聯特性,評估長期老化后的性能衰減。

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接點溫度特性評估:半導體接點溫度上升速度快(毫秒級),若溫度過高會導致接點氧化、接觸電阻增大。選用高效率大功率開關電源PAT-T系列或PWX系列,搭配溫度傳感器監測半導體內部關鍵部位(加熱部位、故障風險部位)溫度,如25℃環境下,故障部位溫度可能驟升至150℃,需設備通過高速外部控制(LAN接口)實時調整供電,避免溫度失控。

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過渡熱測試:模擬半導體瞬時高電流沖擊(如高鐵啟動、EV急加速),需幾百A~千幾百A電流在幾ms內快速上升。采用“3臺PAT20-400T電源組合”實現DC15V-1200A輸出,搭配多功能直流電子負載裝置PLZ-5W系列(7臺組合可達60A/μs高通過速率),加速電流上升過程,測試半導體內部溫度驟升后的穩定性,確保其在極端工況下不損壞。

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二、IC(集成電路)測試案例

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IC主要應用于手機、無線LAN、PC、GPS等消費電子與通信設備,需應對電壓波動、脈沖信號干擾、靜電沖擊(ESD)等問題,測試重點為信號穩定性、抗干擾能力,典型案例包括:

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1.電源過電壓法測試

IC工作電壓低(多為3.3V/5V/12V),若供電端出現過電壓(如電網波動、電源適配器故障),易導致內部電路燒毀。測試需模擬過電壓場景,驗證IC的耐受閾值。

設備方案:選用高可靠性電源PAN-A系列、小型直流穩定電源PMX-A系列(低紋波線性電源,避免電源自身波動影響測試),輸出梯度遞增的過電壓;搭配PLZ-5W系列電子負載(高速響應,實時模擬IC實際功耗),監測IC在不同過電壓下的電流變化——若電流驟增,說明IC已損壞,可確定其最大耐受電壓。

核心目的:確保IC在通信設備、PC電源波動場景下不失效,如路由器IC需耐受12V±10%的電壓波動。

2.電壓脈沖法測試

IC需處理高頻脈沖信號(如手機射頻信號、GPS定位信號),若脈沖波形失真會導致數據傳輸錯誤。測試需生成高速、高頻脈沖,驗證IC的信號處理能力。

設備方案:采用智能雙極性電源PBZ系列(低紋波,可輸出納秒級高速脈沖、高頻波形),模擬IC實際接收的脈沖信號;搭配PLZ-5W系列電子負載,維持IC穩定功耗,通過示波器觀察IC輸出的脈沖波形——若波形無失真、延遲小,說明IC脈沖處理能力合格。

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核心目的:適配MMIC(單片微波集成電路,用于5G基站)、GaAsIC(砷化鎵IC,用于手機射頻)等高頻IC的需求,確保通信信號傳輸準確。

3.靜電放電(ESD)測試

IC在實際應用中常受到靜電放電沖擊(如人工接觸、環境干擾),瞬時高壓脈沖可能導致內部電路損壞或邏輯紊亂,因此需驗證其抗靜電能力。

設備方案:采用高速雙極性電源PBZ系列(支持高速過渡、高頻波形輸出),生成符合ESD特性的瞬時高壓脈沖信號;搭配PLZ-5W系列電子負載維持IC工作狀態,通過示波器監測IC輸入/輸出端口在沖擊過程中的波形變化。

測試方法:模擬IEC標準下的靜電放電脈沖(如幾百伏至數千伏的短脈沖),多次施加在IC不同引腳,觀察是否出現電流異常或邏輯錯誤。

核心目的:確保IC在消費電子、通信設備中能夠抵御環境靜電干擾,避免出現死機、燒毀等失效問題。

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