2019年，中國工程物理研究院電子工程研究所的Rong Wang等人基于實驗研究和第一性原理計算，研究了開啟態偏置下AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（HEMTs）中氧誘導的閾值電壓（Vth）漂移的缺陷演化機理。實驗結果表明，在開啟態應力作用下，T型柵AlGaN/GaN HEMT的Vth發生了明顯的負向漂移，且這種漂移與GaN通道中約0.8 eV處的缺陷能級的減少密切相關。進一步的1/f噪聲測量和溫度依賴性實驗揭示了開啟態應力下GaN通道中缺陷的演化情況，表明熱載流子應力導致了缺陷能級的變化。第一性原理計算則深入探討了氧相關缺陷（VGa-ON）在開啟態應力下的演化過程，發現熱載流子應力使VGa-ON分解并氫鈍化為中性的VGa-H3和ON-H，從而引起GaN通道中受主的減少，導致Vth的負向漂移。該研究的結果對提高AlGaN/GaN HEMTs的可靠性和穩定性具有重要意義，為改進器件制備工藝、優化材料生長條件提供了理論指導，有助于推動AlGaN/GaN HEMTs在高頻、高功率電子器件領域的更廣泛應用，進一步提升其在微波晶體管放大器等應用中的性能和壽命。
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