MOS管的三極都會存在以下三個電容，分別是：Cgs,Cgd,Cds

輸入電容Ciss=Cgs+Cgd

輸出電容Coss=Cgd+Cds

反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容

然而，這三個等效電容是構成串并聯組合關系，他們并不是獨立的，而是相互影響的，其中一個關鍵電容就是米勒電容Cgd

如果選擇MOS管寄生電容比較大，電源IC內部的驅動能力又不足時，需要在驅動電路上增強驅動能力，驅動電路如虛線框所示

這種驅動電路作用在于，提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間，但是減小了關斷時間，開關管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。

一、MOS管柵極驅動信號出現平臺，或者頓挫，以及二次導通現象，嚴重影響驅動效率。

除了本身的RDS阻抗外，另一個就是因為MOS管的米勒效應，尤其在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統穩定性。

如果信號上升沿出現尖峰，并迅速下降，出現二次開啟情況。

一般是由于米勒效應+驅動能力不足引起的。解決方案是可以在MOS管柵極并聯一個電容1nF~10nF。此方法可以減緩尖峰的幅度，避免二次導通，造成MOS發熱。