摘要

核環境監測設備對保障核設施安全、保護環境與人員健康意義重大，需在復雜惡劣的核環境中穩定運行。電子設備易受核輻射影響產生單粒子效應等故障，選用具備抗輻照能力的DCDC與MCU芯片至關重要。本文結合實際測試數據，深入探討抗輻照DCDC與MCU芯片在核環境監測設備中的集成應用，旨在為相關領域科研人員提供參考，以提升核環境監測設備的可靠性與穩定性。

一、引言

核能作為清潔能源，在全球能源結構中的地位逐漸上升。核環境監測設備對保障核設施安全、保護環境與人員健康意義重大。它需實時監測放射性物質泄漏與擴散，但核環境復雜惡劣，電子設備面臨單粒子效應等挑戰。高能粒子可能穿透芯片引發故障，導致系統誤操作或癱瘓。因此，選用具備抗輻照能力的芯片成為關鍵。本文以國科安芯推出的抗輻照DCDC芯片ASP3605S和ASP4644S，MCU芯片AS32S601為例，深入探討其集成應用。

二、核環境監測設備面臨的挑戰

核環境具有復雜性和惡劣性，對電子設備提出諸多挑戰。除高能粒子輻射外，還常伴高溫、高壓、腐蝕性氣體等，加劇電子設備的可靠性問題。電子設備在此環境下長時間運行，部件易老化、性能易退化，增加故障風險。例如，高溫使芯片內部電路膨脹，導致接觸不良、短路等問題。此外，核環境的特殊性要求監測設備具備高可靠性與穩定性。設備一旦故障，可能導致放射性物質泄漏監測數據不準確或中斷，影響核設施安全運行，甚至引發嚴重事故。因此，選用具備抗輻照能力且可靠性高的DCDC與MCU芯片，對于提升核環境監測設備性能和穩定性具有重要意義。

三、抗輻照DCDC與MCU芯片在核環境監測設備中的應用

（一）核環境監測設備對DCDC與MCU芯片的需求

核環境監測設備需要具備高抗輻照性能的DCDC與MCU芯片，以確保在核輻射環境下的穩定運行。DCDC芯片為整個監測系統提供穩定的電源支持，而MCU芯片則負責控制和管理監測設備的運行。具體來說，核環境監測設備對DCDC芯片的需求包括能夠提供穩定的輸出電壓、具備高效的能量轉換效率、具有抗輻照能力等。對于MCU芯片，核環境監測設備需要其具備高性能的處理能力、豐富的接口資源以及強大的抗輻照性能，以滿足數據采集、處理、存儲和傳輸的需求。

（二）DCDC與MCU芯片在核環境監測設備中的作用機制

DCDC芯片在核環境監測設備中主要負責將外部輸入的電源轉換為適合監測設備內部各個模塊工作的電壓和電流。其抗輻照性能保證了在核輻射環境下，電源系統能夠穩定地為監測設備提供所需的能量，避免因電源波動或失效導致整個監測系統無法正常工作。MCU芯片則是核環境監測設備的核心控制單元，負責協調和管理各個監測模塊的運行，包括數據采集、處理、存儲和傳輸等。其抗輻照能力確保在核輻射環境下，MCU能夠準確地執行指令，實現對監測數據的實時處理和分析，及時發出警報和采取相應的措施。例如，當傳感器檢測到核環境中的輻射劑量超標時，MCU能夠迅速處理數據并控制相關執行器發出警報，同時將數據傳輸到遠程監控中心進行進一步分析和處理。

（三）基于抗輻照DCDC芯片的電源管理方案

在核環境監測設備中，采用抗輻照DCDC芯片的電源管理方案能夠有效提高電源系統的可靠性和穩定性。以國科安芯的ASP3605S和ASP4644S為例，這兩款芯片具備高效能轉換、寬輸入電壓范圍以及抗輻照性能。ASP3605S效率高達94%，ASP4644S每通道可驅動4A負載，四通道并聯可達16A，滿足設備對電源功率的需求。在設計電源管理系統時，可根據設備的實際需求靈活選擇單個或多個DCDC芯片的組合方式，實現均流和高效供電。例如，在多傳感器監測系統中，可使用多個DCDC芯片分別為不同的傳感器模塊供電，確保每個模塊都能獲得穩定的電源支持。同時，通過合理的設計電路布局和布線，可以降低電源系統受到的電磁干擾和輻射影響，進一步提高電源管理系統的可靠性。

（四）基于抗輻照MCU芯片的數據采集與處理方案

抗輻照MCU芯片在核環境監測設備中承擔著數據采集與處理的重要任務。以國科安芯的AS32S601為例，這款32位RISC-V指令集MCU具備高性能內核、豐富的接口資源以及抗輻照設計。其自研E7內核主頻高達180MHz，內置16KiB數據緩存和16KiB指令緩存，運算性能卓越。在核環境監測設備中，MCU可通過其豐富的接口資源與各種傳感器進行通信，采集核環境中的輻射劑量、溫度、濕度等數據。然后利用其強大的處理能力對采集到的數據進行實時處理和分析，如數據的濾波、校準、特征提取等。同時，MCU還可將處理后的數據存儲在內部存儲器中，或者通過通信接口傳輸到遠程監控中心。此外，MCU還可以對監測數據進行實時監測和預警，當檢測到異常情況時，及時發出警報并采取相應的措施。

四、抗輻照技術在DCDC與MCU芯片中的應用分析

（一）DCDC芯片的抗輻照技術

電路設計加固：采用冗余設計，如多路備份的控制電路和功率器件，當一路受到輻照損壞時，其他路可繼續工作，確保電源穩定輸出。優化電路布局，增大關鍵器件間距，減少高能粒子同時擊中多個敏感器件的概率。

半導體材料選擇：使用寬禁帶半導體材料，如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等，其具有更寬的能隙，對輻射不敏感，能有效提高芯片抗輻照能力。在芯片制造過程中，采用抗輻照工藝，如離子注入等，增強晶圓的抗輻照性能。

（二）MCU芯片的抗輻照技術

冗余與容錯設計：采用三模冗余（TMR）技術，將三個相同的電路模塊并聯，通過多數表決電路決定最終輸出，屏蔽單粒子引起的錯誤。對關鍵數據和程序采用雙份或多份備份存儲，當一份被輻照損壞時，可切換到備份。

抗輻照設計：采用抗輻照的電路結構和版圖設計，如增加保護環、優化晶體管尺寸和布局等，降低高能粒子對敏感區域的影響。在芯片內部集成抗輻照的保護電路，如瞬態電壓抑制器等，及時吸收和耗散輻射引起的瞬態過電壓，保護芯片不受損壞。

五、性能測試與評估

（一）DCDC芯片測試

對ASP3605S和ASP4644S進行全面測試，包括電源紋波、效率、負載調整率、線性調整率、輸出動態負載響應、靜態電流、關斷電流、啟動時序、保護功能等。測試結果顯示，兩款芯片在不同負載和輸入電壓條件下，均能保持低紋波、高效率和快速動態響應。以ASP3605S為例，其在5V輸入、1.2V輸出、2A負載下的紋波僅為13mV，效率高達94%。保護功能測試中，芯片在輸出短路、過流、過壓等異常情況下，能迅速觸發保護機制，確保設備安全。

（二）MCU芯片測試

AS32S601的測試重點關注其抗單粒子效應能力。采用脈沖激光模擬重離子輻照，掃描芯片表面，監測其工作狀態。結果顯示，在5V工作條件下，芯片在激光能量提升至1585pJ（對應LET值為（75±16.25）MeV?cm2/mg）時，僅出現單粒子翻轉（SEU）現象，未發生單粒子鎖定（SEL），表明其具備良好的抗輻照性能。此外，對MCU的功能、時序、功耗等進行測試，結果均符合設計要求。

六、抗輻照DCDC與MCU芯片在核環境監測設備中的集成應用分析

（一）核環境監測項目中的應用

在核環境監測項目中，采用多種抗輻照DCDC與MCU芯片，如ASP3605S、ASP4644S和AS32S601等。在硬件設計方面，DCDC芯片為MCU及其他外設提供了穩定的電源。根據設備需求，設計了多相電源系統，實現均流和高效供電。MCU通過通信接口與傳感器、執行器及DCDC芯片相連，合理布局線路，使用濾波、屏蔽等措施，降低噪聲干擾，確保信號傳輸可靠。在軟件設計方面，MCU上電后，初始化各模塊，配置DCDC芯片的輸出電壓、頻率等參數，建立通信連接。通過傳感器采集核環境數據，如輻射劑量、溫度、濕度等，經處理分析后存儲或傳輸。利用其內置數學庫和算法庫，實現數據的快速處理和實時監測。例如，當傳感器檢測到輻射劑量超標時，MCU能迅速處理數據并通過通信接口發出警報，同時控制相關執行器采取相應的措施，如關閉核設施的某些設備或啟動應急處理程序等。

（二）其他應用領域中的集成應用

抗輻照DCDC與MCU芯片不僅在核環境監測設備中有廣泛應用，還在其他對可靠性要求較高的領域發揮著重要作用。例如，在航空航天領域，衛星、航天器等設備需要在太空輻射環境中長期穩定運行。抗輻照DCDC與MCU芯片能夠為衛星的通信系統、導航系統、科學探測儀器等提供可靠的電源管理和控制支持，確保衛星在太空中的正常工作。在工業自動化領域，一些具有放射性的工業生產環境，如核電站、放射性物質處理工廠等，也需要使用抗輻照DCDC與MCU芯片來保證自動化設備的穩定運行，提高生產效率和安全性。在醫療領域，放射治療設備、核醫學成像設備等也需要抗輻照DCDC與MCU芯片來確保設備的精確控制和安全運行，保障患者的健康和安全。

七、結論

抗輻照DCDC與MCU芯片在核環境監測設備中具有不可替代的作用。隨著科技的不斷進步，抗輻照DCDC與MCU芯片將不斷完善和發展。例如，進一步提高芯片的抗輻照劑量閾值，使其能夠在更高強度的核輻射環境下正常工作；優化芯片的功耗性能，在保證性能的前提下降低功耗，延長設備的使用壽命等。這些技術的發展將為核環境監測設備的性能提升提供更有力的支持，推動核能事業的安全和可持續發展。

隨著第四代核能系統和聚變能技術的研發與應用，對核環境監測設備的要求將更加嚴苛。這些新技術不僅要求芯片具備更強的抗輻照能力，還需要其能夠適應更高溫度、更高壓力等極端環境條件。因此，芯片研發企業需要緊密關注核能技術的發展趨勢，提前布局研發工作，滿足未來市場的需求。同時，相關標準和規范的制定也將不斷完善，對抗輻照芯片的性能指標、測試方法等提出更加嚴格的要求，這將有助于規范市場秩序，促進抗輻照芯片行業的健康、有序發展。