2022年12月7日，意大利國家研究委員會微電子與微系統研究所的Giuseppe Greco等人在《Applied Physics Letters》期刊發表了題為《Threshold voltage instability by charge trapping effects in the gate region of p-GaN HEMTs》的文章，基于對p-GaN高電子遷移率晶體管（HEMTs）在不同偏置應力條件下的柵極電流密度監測，研究了其閾值電壓不穩定性，實驗結果表明，閾值電壓的不穩定性源于金屬/p-GaN/AlGaN/GaN系統中不同界面處的電荷俘獲效應，且在不同應力偏置水平下，電子（VG < 6 V）或空穴（VG > 6 V）的俘獲會導致閾值電壓正向或負向漂移，該研究結果對提高p-GaN HEMTs的可靠性和穩定性具有重要意義。

本文的關鍵性結論如下：

1. 閾值電壓