概述:
REF-MHA50WIMI111T 是一款專為風扇驅動設計的參考開發板,搭載了英飛凌的IMI111T-026H iMOTION?智能功率模塊(IPM)。這個模塊集成了運動控制引擎(MCE)、三相柵極驅動器和基于IGBT的功率級,全部封裝在一個緊湊的DSO22封裝中。REF-MHA50WIMI111T 開發板具備完整的三相逆變器功能,能夠快速制作變頻電機控制系統的原型,適用于風扇、壓縮機等多種應用。
將電機控制器、三相柵極驅動器和600 V/2 A IGBT都集成在DSO-22封裝中的iMOTION? IPM
IMI111T-026H器件無需散熱片,適用于額定輸出功率為50 W、最高直流阻斷電壓達600 V的電機驅動器。
?芯片IO定義:
引腳編號 | 名稱 | 類型 | 描述 |
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1 | TX0 | O | 串口發送輸出 |
2 | RX0 | I | 串口接收輸入 |
3 | VSP | AIN | 模擬速度參考輸入(用于調速) |
4 | ISS | AIN | 單分流電阻電流檢測輸入(用于相電流采樣) |
5 | VDC | AIN | 直流母線電壓檢測輸入 |
6 | IREF | O | 過流參考DAC輸出(設定過流保護閾值) |
7 | VDD | P | 數字控制器電源(如MCU供電) |
8 | VCC | P | 低側IGBT柵極驅動電源 |
9 | VSS | P | 控制信號地(邏輯參考地) |
10 | GLV | NC | V相低側IGBT柵極(PCB上無需連接) |
11 | VR | P | 三相低側IGBT公共發射極回路(電流返回路徑) |
12 | UN | P | U相低側IGBT集電極(需在PCB上連接至UP) |
13 | VN | P | V相低側IGBT集電極(需在PCB上連接至VP) |
14 | W/VSW | P | W相輸出(自舉電容負極連接點) |
15 | W/VSW | P | W相輸出(自舉電容負極連接點,冗余設計) |
16 | VBW | P | W相高側懸浮電源(自舉電容正極連接點) |
17 | V+ | P | 直流母線正極(高壓電源輸入) |
18 | V+ | P | 直流母線正極(冗余設計,增強電流承載能力) |
19 | VBV | P | V相高側懸浮電源(自舉電容正極連接點) |
20 | VP | P | V相高側IGBT發射極(需在PCB上連接至VN) |
21 | VBU | P | U相高側懸浮電源(自舉電容正極連接點) |
22 | UP | P | U相高側IGBT發射極(需在PCB上連接至UN) |
整機實物圖:
原理圖:
數字隔離器:
隔離電壓 | 2.5 kVrms(60 秒) |
工作電壓 | VDD1 和 VDD2:2.5V ~ 5.5V |
數據速率 | 最大 150 Mbps |
傳播延遲(Propagation Delay) | 2.5 ns(典型值) |
信號邊沿延遲差(Skew) | 通道間:< 1 ns;器件間:< 3 ns |
共模瞬變抗擾度(CMTI) | > 100 kV/μs |
開關電源:
LNK304DG(工作模式):
Buck(降壓):適用于輸出電壓低于輸入電壓的情況。
Buck-Boost(升降壓):適用于輸入電壓可能高于或低于輸出電壓的情況。
集成 MOSFET:內置?700V 功率 MOSFET,減少外部元件需求。
IPM電路:
通過單個分流電阻(RS1
)檢測多路 IGBT 的低邊總電流,轉換為電壓信號后,經電平移位和濾波,送入 MCU 的 ADC 或比較器進行電流監控和過流保護。
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分流電阻(RS1):電流→電壓轉換。
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電平移位電路(Shift Stage):調整電壓范圍以適應 ADC 輸入