碳化硅（SiC）功率器件因其優異的性能，在高頻、高溫、高效率的應用中越來越受到重視。本文將以SP95N65CTO為例，詳細介紹這款650V SiC MOSFET的關鍵特性、電氣參數與應用場景。

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一、產品概述

SP95N65CTO是一款采用TOLI（TO-247-3L）?封裝的SiC MOSFET，具備以下核心參數：

• 耐壓值（V(BR)DSS）: 650V

• 典型導通電阻（RDS(on)）: 25mΩ @ VGS=10V

• 連續漏極電流（ID）: 95A @ Tc=100℃

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二、主要特性

• ??高速開關：低電容設計，支持高頻開關

• ??低導通電阻：在高阻斷電壓下仍保持較低的RDS(on)

• ??易于并聯：適合大電流應用

• ??驅動簡單：兼容常規驅動電路

• ??符合RoHS標準：環保材料

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三、電氣特性摘要（Ta=25℃）

極限參數（Absolute Maximum Ratings）

參數	符號	數值	單位
漏源電壓	VDS	650	V
柵源電壓范圍	VGSMAX	-10 ~ +22	V
推薦柵源電壓	VGSoP	-5 ~ +18	V
連續漏極電流（Tc=25℃）	ID	135	A
脈沖漏極電流	IDM	280	A
結殼熱阻	RθJC	0.21	℃/W

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靜態與動態特性

參數	符號	條件	典型值	單位
閾值電壓	VGS(th)	VDS=VGS, ID=12mA	2.8	V
導通電阻	RDS(on)	VGS=18V, ID=40A, Tj=25℃	25	mΩ
輸入電容	Ciss	VDS=600V, f=1MHz	3090	pF
總柵極電荷	Qg	VDS=400V, ID=40A	125	nC
開啟延遲時間	Td(on)	VDS=400V, ID=40A	4.4	ns

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四、體二極管特性

參數	符號	條件	典型值	單位
正向電壓	VSD	VGS=-5V, IS=20A, Tj=25℃	3.7	V
反向恢復時間	trr	VGS=-3.5/+18V, IS=40A	16	ns
反向恢復電荷	Qrr	同上	125	nC

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五、應用領域

SP95N65CTO適用于以下高功率應用場景：

• 功率因數校正（PFC）模塊

• 開關電源（SMPS）

• 光伏逆變器

• UPS電源系統

• 電機驅動

• 高壓DC/DC變換器

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六、封裝與訂購信息

• 封裝類型：TOLI (TO-247-3L)

• 每卷數量：2000顆/卷

• 器件標記：SP95N65CTO + 周代碼

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七、總結

SP95N65CTO是一款性能出色、可靠性高的650V SiC MOSFET，適用于多種高功率、高頻率的工業與能源應用。其低導通電阻、高速開關特性以及良好的熱性能，使其成為替代傳統硅基MOSFET的優秀選擇。