以nmos舉例，mos管由三個電極：G極（gate）、D極（drain）、S極（source）和一個襯底組成，而這三個電極之間通過絕緣層相隔開；

①既然GDS三個電極之間兩兩相互絕緣，相當于兩兩之間有一個寄生電容。

②S極和D極一般由n型半導體材料構成，與P型襯底相結合，如下圖所示，構成了兩個PN結（二極管的物理本質就是PN結），而在MOS管的制作工藝中，P型襯底與S極之間用導線連接起來，相當于把它倆之間的二極管被短路掉了，僅剩下P型襯底和D極之間的二極管（也就相當于D極與S極之間存在一個二極管，該二極管也稱為mos管的體二極管）。

注：測試Nmos的好壞，主要也就是通過萬用表測量mos管的體二極管的好壞（DS之間是否存在壓降）。

附：NMOS的電氣符號

，PMOS的電氣符號

；

Nmos的等效模型：