2023 年 7 月，瑞士洛桑聯邦理工學院的 Hongkeng Zhu 和 Elison Matioli 在《IEEE Transactions on Power Electronics》期刊發表了題為《Accurate Measurement of Dynamic ON-Resistance in GaN Transistors at Steady-State》的文章，基于提出的穩態測量方法，研究了氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的動態導通電阻（Ron），實驗結果表明商業 GaN 器件在穩態下動態 Ron 變化顯著，其穩定時間可達數分鐘且與電壓相關，脈沖測量易因測試時間不足導致結果不準確，該研究對準確預測 GaN 晶體管在實際功率轉換器中的導通損耗以及公平比較不同 GaN 技術具有重要意義。
主要結論：
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某些商業 GaN HEMT 器件在穩態下動態導通電阻（Ron）存在顯著增加，且其穩定時間可達數分鐘，與關斷電壓相關，如在 100V 下約需 3 分鐘穩定，在 400V 下約需 10 秒穩定。
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器件內部的陷阱效應
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