公司鄭重聲明，其正致力于篩選那些能夠穩定輸出、且可重復使用的關鍵參數性能。SEMI，這家SiC領域的佼佼者，已經啟動了一項獨具匠心的專有技術（KGD）篩選程序。該程序旨在為客戶提供高品質的、經過嚴格電氣分類與光學檢驗的先進SiC MOSFET技術，從而輕松應對后端處理及直接模具連接等復雜工藝。

該公司進一步強調，此項篩選程序不僅確保了電氣參數的穩定性，更使得客戶能夠信賴其可重復的性能，從而打造出諸如高壓電源、牽引逆變器和功率調節系統等各類高端設備。同時，統一的模具參數也極大地簡化了大功率模塊中多個設備的連接過程，提升了整體生產效率。

SemiQ公司的產品工程和運營副總裁Michael Tsang對此滿懷信心地表示：“SiC技術作為一股強大的推動力，正助力全球實現可持續發展的宏偉目標。而我們SemiQ所推出的已知良好尺寸的SiC MOSFET，憑借其近乎恒定的結電容、極低的插入損耗以及在高頻應用中展現出的高度隔離性能，為客戶帶來了顯著的性能優勢。”

他進一步補充道：“借助這項計劃，我們的客戶將能夠獲取到質量卓越、性能穩定的模具產品。這些模具不僅能夠簡化生產流程、提高生產效率，更能在高效應用中展現出可預測且可重復的性能表現。”

目前，KGD項目正處于活躍狀態，并廣泛應用于SemiQ的QSiC1200V SiC MOSFET全系列產品中，涵蓋從20米Ω到80米Ω的廣泛阻值范圍。此外，這些KGD設備還可根據客戶需求，在多種載體介質上進行靈活翻譯，包括藍膠帶、預固化紫外線膠帶以及膠帶和卷筒等，以便更好地與客戶的生產工藝相集成。

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