楚存科技SD NAND貼片式T卡—高性能存儲解決方案、賦能AI智能硬件應用

在 AIoT 技術重構產業生態的時代浪潮中，智能硬件正從單一功能終端向數據樞紐演進 —— 智能家居設備日均產生 TB 級交互數據，工業物聯網傳感器需實時存儲生產參數，車載智能系統更要在毫秒級響應中完成音視頻數據的讀寫。傳統存儲方案在功耗控制、體積適配與環境耐受性上的局限性，已成為制約智能硬件性能升級的瓶頸。楚存科技深耕存儲芯片領域多年，匯聚精英力量，每一個技術細節都經過反復打磨，為智能硬件存儲難題提供系統性解決方案。

最近，拿了一款楚存科技SD NAND貼片式T卡樣品，接下來測試下這顆芯片的性能。使用讀卡器+MyDiskTest軟件工具，在win11系統測試環境下對楚存科技存儲芯片型號:CSD16GAQIGY進行測試。首先進行基準測試，分別測試其是否為快速擴容、以及數據完整性測試和讀寫速度測試。然后進行高低溫測試、跌落沖擊測試和突然斷電測試。結果展現出工業級可靠性與高性能適配能力，在性能、功耗、環境耐受性與可靠性方面達到智能硬件存儲需求。

目錄

一、智能硬件浪潮下的存儲需求

二、楚存科技 SD NAND 存儲芯片介紹

三、性能實測

3.1 基準測試

3.1.1 快速擴容測試

3.1.2 數據完整性測試

3.1.3 讀寫速度測試

3.2 高低溫測試

3.3 跌落測試

3.4 斷電測試

四、總結

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一、智能硬件浪潮下的存儲需求

在人工智能、物聯網與 5G 技術深度融合的時代背景下，智能硬件產業正以驚人的速度蓬勃發展。從智能家居設備實現全屋智能互聯，到智能穿戴設備實時監測健康數據；從工業物聯網系統精準把控生產流程，再到車載智能終端提供沉浸式交互體驗，各類智能硬件已廣泛滲透至生活、生產的各個領域。隨著智能硬件功能不斷升級，數據處理與存儲成為其核心競爭力的關鍵要素，對存儲設備的性能、可靠性和功耗提出了更高要求。

在智能家居場景中，智能攝像頭需持續記錄高清視頻，智能音箱要快速讀取音頻資源，這些設備不僅需要大容量存儲滿足數據積累，更要求存儲產品具備高讀寫速度，以確保數據的實時處理與流暢傳輸。智能穿戴設備因體積小巧、電池容量有限，對存儲芯片的尺寸、功耗極為敏感，同時還需在運動顛簸、汗水侵蝕等復雜環境下保持穩定運行。工業物聯網領域，生產數據的實時采集與分析關乎企業運營效率和產品質量，存儲設備必須具備極強的穩定性與安全性，以應對高溫、震動、電磁干擾等嚴苛工業環境。車載智能終端由于涉及導航、娛樂、自動駕駛等多重功能，既要保證海量數據的快速存儲與讀取，還要滿足車規級的安全標準，確保數據在極端溫度、頻繁震動條件下的完整性。

然而，傳統存儲方案在面對智能硬件多樣化需求時，逐漸暴露出性能瓶頸與適配不足等問題。此時，楚存科技 SD NAND 貼片式 T 卡憑借卓越性能，為智能硬件行業帶來了全新的高性能存儲解決方案。

二、楚存科技 SD NAND 存儲芯片介紹

（一）楚存 SD NAND產品概述

楚存科技 SD NAND 是一款高度集成的閃存存儲器，支持 SD2.0、3.0 標準協議，通過專用串行接口實現高速可靠的數據傳輸。其核心設計面向多媒體消費類應用，采用無機械部件的卡片式結構，兼具成本優勢與機械穩定性，可直接適配支持 SD2.0 標準的設備。產品特別適合移動及電池供電場景，如音頻播放器、電子詞典、錄音筆、可穿戴產品、電子教育類等，依托 MPEG 等數據壓縮技術，可滿足各類多媒體數據的存儲需求。

（二）核心特性：高性能與可靠性的技術融合

1.標準兼容性

符合 SD Specification V2.0、3.0標準，確保與主流設備接口兼容。

2.電氣性能與傳輸效率

通信電壓范圍 2.7-3.6V，支持寬電壓工作環境；

時鐘速率靈活可調：標準模式 0-25MHz，高性能模式可達 0-50MHz；

四線并行數據傳輸時，最高數據速率達 25MB / 秒，滿足實時數據處理需求。

3.安全與可靠性機制

支持密碼保護（CMD42-LOCK_UNLOCK 命令），防止未授權訪問；

集成先進的錯誤恢復系統，包括強大的 ECC（錯誤校驗與糾正）算法；

全局磨損均衡（Global Wear Leveling）技術，延長存儲介質使用壽命。

4.低功耗與電源管理

優化的電源管理方案，待機電流最大值 250μA、平均值 120μA，工作電流最大值 100mA、平均值 50mA，適配電池驅動設備。

（三）型號CSD16GAQIGY 規格參數

參數類型	具體指標
CSD16GAQIGY	2GB（目前楚存科技將SD NAND容量開到多個不同容量尺寸供客戶選擇，1024Gb和2048Gb將陸續推出）
順序讀寫速度	讀取 15MB/s，寫入 7MB/s （測試條件：AU6437 讀卡器 + H2Test V1.4 軟件 + Win10 系統）
封裝尺寸	6.60×8.00mm，超薄設計適配緊湊空間
操作溫度范圍	工作狀態 - 10℃~85℃，非工作狀態 - 15℃~100℃
濕度范圍	工作與非工作狀態均為 25%~85%（無冷凝）
ESD 防護	接觸放電 ±2kV/±4kV，空氣放電 ±15kV（IEC 61000-4-2 標準）

（四）引腳配置與接口定義

SD NAND 采用 8 引腳 LGA 封裝，支持 SD 模式與 SPI 模式雙接口，具體引腳功能如下：

引腳編號	名稱	類型	SD 模式描述	SPI 模式描述
1	SDD2	I/O/PP	數據線 [Bit2]	預留（Reserved）
2	SDD3	I/O/PP	數據線 [Bit3]	片選（CS，低電平有效）
3	SCLK	I	時鐘信號	時鐘信號
4	VSS	S	電源地	電源地
5	CMD	PP	命令 / 響應線	數據輸入（DI）
6	SDD0	I/O/PP	數據線 [Bit0]	數據輸出（DO）
7	SDD1	I/O/PP	數據線 [Bit1]	預留（Reserved）
8	VCC	S	電源電壓（2.7-3.6V）	電源電壓（2.7-3.6V）

（五）操作環境與可靠性設計

1.溫度與濕度適應性

可在 - 10℃~85℃環境下穩定工作，非工作狀態下耐受 - 15℃~100℃溫度范圍，滿足工業級應用場景；

濕度控制要求嚴格，工作與存儲環境濕度均需保持在 25%~85%（無冷凝），避免芯片受潮失效。

2.靜電防護（ESD）
符合 IEC 61000-4-2 標準，接觸放電耐受 ±2kV/±4kV，空氣放電耐受 ±15kV，降低生產與使用中的靜電損壞風險。

（六）電路設計建議

時鐘線（SCLK）需預留電阻位置（具體阻值根據實際需求配置），優化信號完整性；

電源濾波電容（C1，2.2μF）需盡可能靠近 VCC 引腳，減少電源紋波；

數據線（SDD0~SDD3）、時鐘線（SCLK）和命令線（CMD）建議采用 GND 包圍布局，若無法實現，線間距需為線寬的 2 倍以上，降低串擾。

（七）型號 CSD16GAQIGY 的編碼規則

型號組成拆解

CSD 16G A Q I G Y  
│  │ │ │ │ │ └── 包裝類型：Y=托盤（Tray）  
│  │ │ │ │ └──── 溫度范圍：I=商業級（-10℃~85℃）  
│  │ │ │ └────── 封裝類型：Q=Gbit LGA8（6.6×8mm）  
│  │ │ └──────── 版本代際：A=A版本  
│  │ └────────── 存儲密度：16G=2GB（16Gbit）  
│  └──────────── 產品系列：SD=2.7V-3.6V SD2.0 NAND  
└─────────────── 公司前綴：C=楚存科技（CHUCUN）

型號中 “G” 表示產品符合無鉛（Pb Free）與無鹵素（Halogen Free）標準，滿足環保要求。

三、性能實測

3.1 基準測試

3.1.1 快速擴容測試

接下來使用 讀卡器+MyDiskTest軟件工具對楚存科技存儲芯片型號CSD16GAQIGY進行基準測試，測試環境為win11系統。

接下來分別測試其是否為快速擴容、以及數據完整性測試和讀寫速度測試。

首先進行快速擴容測試，測試結果如下

快速測試初步判定為非擴容盤。

3.1.2 數據完整性測試

選中 “數據完整性校驗”，用于驗證存儲設備寫入、讀取數據時是否會出現錯誤（如擴容盤寫入超實際容量數據會丟失 / 出錯 ）。

測試結果：顯示 “數據完整性校驗結束，測試通過！”，說明在本次校驗中，數據寫入、讀取未發現錯誤，設備表現穩定 。

3.1.3 讀寫速度測試

選中 “讀寫速度測試”，點擊 “開始測試” 后，軟件會執行一系列模擬讀寫操作，驗證設備讀寫速度性能。

所有步驟全 “OK”+ 塊級性能清晰，說明性能穩定，通過數據可判斷在本次測試環境下的讀寫能力，適配日常 / 專業存儲需求。進一步證明了楚存科技SD NAND存儲芯片，在未來實際應用中具有良好的數據安全性與讀寫穩定性，適用于智能網關、智能硬件等對長期運行和數據一致性有較高要求的嵌入式系統。

3.2 高低溫測試

為驗證楚存科技 SD NAND 存儲芯片在高溫環境下的性能穩定性，模擬實際應用中可能遭遇的高溫場景（如智能硬件長時間運行、戶外高溫環境等 ），通過對芯片升溫后復測讀寫速度，評估其高溫適應性。

使用的升溫工具為熱水杯，來提供穩定熱源使芯片升溫 。

升溫后再次測試其讀寫速度性能。

高溫測試后，讀寫效率未出現衰減，表現依然穩定。

為驗證楚存科技 SD NAND 存儲芯片在低溫環境下的性能表現，模擬智能硬件可能面臨的低溫場景（如戶外低溫、冷鏈設備等 ），利用加冰塊的水杯營造低溫環境，通過 MyDiskTest 軟件復測芯片讀寫速度，對比常溫數據，評估其低溫適應性。

讀寫效率未出現衰減，表現依然穩定。

3.3 跌落測試

為驗證楚存科技 SD NAND 存儲芯片在物理沖擊場景下的性能穩定性，模擬智能硬件實際使用中可能遭遇的跌落、震動情況（如手持設備意外掉落、工業場景設備震動 ），通過多次跌落測試后復測讀寫速度，評估芯片抗物理沖擊能力。

讀寫效率未出現衰減，表現依然穩定。

3.4 斷電測試

為驗證楚存科技 SD NAND 存儲芯片在異常供電場景下的數據可靠性，模擬智能硬件實際使用中可能遭遇的意外斷電、電源波動情況（如設備意外掉電、電池供電不穩定 ），通過多次通斷電循環，檢測數據存儲與讀寫的完整性，評估芯片數據保護能力。

多次突然斷電后，先前存儲的文件數據完整性未受影響。

四、總結

在 AI 智能硬件向 “邊緣計算 + 實時存儲” 演進的當下，楚存 SD NAND 貼片式 T 卡以標準化接口、工業級可靠性與極致功耗控制，為智能網關、醫療監測設備、智能家居中控等場景提供了 “即插即用” 的存儲升級方案。隨著 5G 物聯網終端滲透率的持續提升，該產品將成為推動智能硬件從 “聯網化” 向 “智能化” 跨越的核心存儲引擎。

目前楚存科技將SD NAND容量開到10個不同容量、尺寸供客戶選擇，1024Gb和2048Gb將陸續推出...

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