在當今快速發展的科技領域，數據存儲的需求日益增長，對存儲設備的性能和可靠性提出了更高的要求。傳統DRAM以其高速度著稱，但其易失性限制了應用范圍；而固態硬盤SSD雖然提供非易失性存儲，但在速度上遠不及DRAM。

為了解決這一難題，德國Ferroelectric Memory Co.（FMC）與Neumonda合作推出了一種新型存儲技術——“DRAM+”，它利用氧化鉿（HfO?）鐵電材料，旨在提供類似DRAM的高性能同時具備SSD般的非易失性存儲能力。

早期的鐵電隨機存取存儲器（FeRAM）主要采用鋯鈦酸鉛（PZT）作為鐵電層，然而這種材料存在顯著局限。首先，商業化的PZT FeRAM產品容量通常僅為幾兆字節（MB），如4MB或8MB，難以滿足現代計算需求。其次，PZT與標準CMOS工藝集成困難，特別是在小于10納米的制程節點中表現不佳，導致制造成本高昂且單元結構占用較大芯片面積。

FMC通過使用氧化鉿（HfO?）作為鐵電材料實現了重大突破。HfO?不僅與現有CMOS工藝兼容，還能夠在小于10納米的先進制程節點下工作，極大地提高了存儲密度并降低了生產成本。更重要的是，HfO?的鐵電效應使其能夠在斷電后保留數據，解決了DRAM的易失性問題。這意味著基于HfO?的FeRAM不僅保持了DRAM的高讀寫速度，還提供了低功耗和數據持久性。

DRAM+的核心優勢在于其高容量、非易失性和高性能。 它的目標是將存儲密度提升至千兆比特（Gb）甚至更高，同時保持非易失性。這使得DRAM+適用于多種行業，包括但不限于人工智能、汽車電子、消費電子，特別在數據中心場景，DRAM+可能成為下一代存儲級內存（SCM）的重要組成部分，與英特爾Optane等產品競爭。

為了確保DRAM+技術的成功實施，FMC與Neumonda建立了合作關系。Neumonda提供的Rhinoe、Octopus和Raptor等先進測試平臺，專為低成本、高效能和獨立存儲器測試設計，能夠提供傳統設備無法實現的詳細分析。這些平臺不僅能加速DRAM+產品的開發進程，還能幫助降低成本，提高產品質量。

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