法拉第旋光器是利用法拉第效應制作的光學器件，當入射光正向(或反向)進入旋光器時，入射光偏振面會發生旋轉。法拉第效應???

1845年，法拉第發現：當一束平面偏振光通過置于磁場中的磁光介質時，平面偏振光的偏振面就會隨著平行于光線方向的磁場發生旋轉。這種現象也稱磁致旋光，即在處于磁場中的均勻各向同性媒質內，線偏振光束沿磁場方向傳播時，振動面發生旋轉的現象。法拉第效應也稱為法拉第旋轉，是在介質內光波與磁場的一種相互作用。

偏振面旋轉的角度稱為法拉第旋轉角(磁致旋光角)，與磁感應強度B和光在介質中走過的長度L的乘積成正比，即θ=VBL，比例系數V稱為維爾德常數，表征物質的磁光特性，與介質性質、溫度及光波頻率有關。在一定物質中不論光是沿磁場方向或逆磁場方向傳播，偏轉方向相同，且只由磁場方向決定。

法拉第旋光器廣泛應用于各種激光系統當中，如：摻鉺光纖放大器、光開關、光調制器等，可有效避免有害反射光造成光學損傷或系統不穩定。

當光束正向進入時，法拉第旋光器使線偏振光旋轉θ，這束光被反射進法拉第旋光器后，光的偏振方向再次被旋轉，其旋轉方向與光正向進入時相同，此時出射光的偏振方向相對入射光旋轉2θ，這樣可有效減弱入射光與反射光的干涉效應，從而降低對系統的影響。

若在法拉第旋光器前后放置偏振光學元件來調控偏振態，使得反射光無法通過，可用作光隔離器。LBTEK已推出光隔離器，具體詳情請戳《光隔離器：隔離的就是你，反向光！》。

LBTEK提供多種中心波長的法拉第旋光器，該系列使用高維爾德常數磁光晶體，損耗小。

• 晶體材質：TGG(鋱-鎵-石榴石)。

• 多種中心波長可選(405 nm、450 nm、532 nm、633 nm、650 nm、670 nm、730 nm、780 nm、795 nm、850 nm、905 nm、980 nm、1030 nm、1064 nm)。

• 自由空間輸入輸出，通光孔徑：?3 mm。

• 透過率：98%。

• 平均功率：1.5 W。

• 旋轉角度：45°±0.5°。

• 損傷閾值：3.5 J/cm²@10 ns。

• 磁光晶體的磁場強度及維爾德常量會隨著溫度的上升而下降，建議在溫度范圍為10℃-30℃環境下使用。

• 外殼、磁環材質：6061-T6鋁合金、銣鐵硼(NdFeb)。

• 晶體支架：黃銅。

LBTEK法拉第旋光器可安裝于隔離器支架安裝座ISOC1，前后通過MOP系列同軸接桿和各種同軸安裝板實現與系統其他部分連接于同軸系統中。

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