1、邏輯Bank與芯片位寬

講完SDRAM的外在形式，就該深入了解SDRAM的內部結構了。這里主要的概念就是邏輯Bank。簡單地說，SDRAM的內部是一個存儲陣列。因為如果是管道式存儲(就如排隊買票)，就很難做到隨機訪問了。

陣列就如同表格一樣，將數據“填”進去，你可以把它想象成一張表格。和表格的檢索原理一樣，先指定一個行(Row)，再指定一個列(Column)，我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是內存芯片尋址的基本原理。對于內存，這個單元格可稱為存儲單元,那么這個表格(存儲陣列)叫什么呢？它就是邏輯Bank(Logical Bank，下文簡稱L-Bank)。

L-Bank存儲陣列示意圖

由于技術、成本等原因，不可能只做一個全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，單一的L-Bank將會造成非常嚴重的尋址沖突，大幅降低內存效率(在后文中將詳細講述)。所以人們在SDRAM內部分割成多個L-Bank，較早以前是兩個，目前基本都是4個，這也是SDRAM規范中的最高L-Bank數量。到了RDRAM則最多達到了32個，在最新DDR-Ⅱ的標準中，L-Bank的數量也提高到了8個。

這樣，在進行尋址時就要先確定是哪個L-Bank，然后再在這個選定的L-Bank中選擇相應的行與列進行尋址。可見對內存的訪問，一次只能是一個L-Bank工作，而每次與北橋交換的數據就是L-Bank存儲陣列中一個“存儲單元”的容量。在某些廠商的表述中，將L-Bank中的存儲單元稱為Word(此處代表位的集合而不是字節的集合)。

從前文可知，SDRAM內存芯片一次傳輸率的數據量就是芯片位寬，那么這個存儲單元的容量就是芯片的位寬(也是L-Bank的位寬)，但要注意，這種關系也僅對SDRAM有效，原因將在下文中說明。

2、內存芯片的容量

現在我們應該清楚內存芯片的基本組織結構了。那么內存的容量怎么計算呢？顯然，內存芯片的容量就是所有L-Bank中的存儲單元的容量總合。計算有多少個存儲單元和計算表格中的單元數量的方法一樣：

存儲單元數量=行數×列數(得到一個L-Bank的存儲單元數量)×L-Bank的數量

在很多內存產品介紹文檔中，都會用M×W的方式來表示芯片的容量(或者說是芯片的規格/組織結構)。M是該芯片中存儲單元的總數，單位是兆(英文簡寫M，精確值是1048576，而不是1000000)，W代表每個存儲單元的容量，也就是SDRAM芯片的位寬(Width)，單位是bit。計算出來的芯片容量也是以bit為單位，但用戶可以采用除以8的方法換算為字節(Byte)。比如8M×8，這是一個8bit位寬芯片，有8M個存儲單元，總容量是64Mbit(8MB)。

不過，M×W是最簡單的表示方法。下圖則是某公司對自己內存芯片的容量表示方法，這可以說是最正規的形式之一。

業界正規的內存芯片容量表示方法

我們可以計算一下，結果可以發現這三個規格的容量都是128Mbits，只是由于位寬的變化引起了存儲單元的數量變化。從這個例子就也可以看出，在相同的總容量下，位寬可以采用多種不同的設計。

3、與芯片位寬相關的DIMM設計

為什么在相同的總容量下，位寬會有多種不同的設計呢？這主要是為了滿足不同領域的需要。現在大家已經知道P-Bank的位寬是固定的，也就是說當芯片位寬確定下來后，一個P-Bank中芯片的個數也就自然確定了，而前文講過P-Bank對芯片集合的位寬有要求，對芯片集合的容量則沒有任何限制。高位寬的芯片可以讓DIMM的設計簡單一些(因為所用的芯片少)，但在芯片容量相同時，這種DIMM的容量就肯定比不上采用低位寬芯片的模組，因為后者在一個P-Bank中可以容納更多的芯片。比如上文中那個內存芯片容量標識圖，容量都是128Mbit，合16MB。如果DIMM采用雙P-Bank+16bit芯片設計，那么只能容納8顆芯片，計128MB。但如果采用4bit位寬芯片，則可容納32顆芯片，計512MB。DIMM容量前后相差出4倍，可見芯片位寬對DIMM設計的重要性。因此，8bit位寬芯片是桌面臺式機上容量與成本之間平衡性較好的選擇，所以在市場上也最為普及，而高于16bit位寬的芯片一般用在需要更大位寬的場合，如顯卡等，至于4bit位寬芯片很明顯非常適用于大容量內存應用領域，基本不會在標準的Unbuffered 模組設計中出現。