一、電感的基本定義
電感(Inductor)?是由導線繞制而成的儲能元件,其核心特性是阻礙電流變化,將電能轉化為磁能存儲。
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基本公式:
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自感電動勢:
E = -L * (di/dt)
(L:電感值,單位亨利H;di/dt:電流變化率) -
感抗:
XL = 2πfL
(f:頻率,XL:交流阻抗) -
儲能公式:
W = 0.5 * L * I2
(I:流經電感的電流)
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二、電感的核心作用
作用 | 原理與公式 | 典型應用場景 |
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濾波與儲能 | 抑制高頻噪聲,平滑電流突變:V_ripple = (ΔI * L) / (8 * f_sw) | 開關電源輸出濾波、DC-DC轉換器 |
能量轉換 | Boost/Buck拓撲中的能量傳遞: Boost: Vout = Vin / (1-D) Buck: Vout = D * Vin | 升壓/降壓電路、無線充電 |
阻抗匹配 | 與電容諧振:fr = 1 / (2π√(LC)) | 射頻匹配網絡、天線調諧 |
抑制浪涌電流 | 限制電流變化率:di/dt = V / L | 電機驅動、繼電器控制 |
EMI抑制 | 高頻扼流:Z_CM = jωL_CM | 電源輸入端的共模濾波 |
三、電感的主要分類
1. 按結構與材料分類
類型 | 結構特點 | 關鍵參數 | 應用場景 |
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繞線電感 | 銅線繞制在磁芯(鐵氧體/鐵粉芯) | 電感值:1μH~100mH 飽和電流:1A~50A | 電源轉換、電機驅動 |
疊層電感 | 多層鐵氧體片堆疊,銅層嵌入 | 電感值:10nH~10μH SRF:100MHz~10GHz | 手機射頻、高速數字電路 |
一體成型電感 | 磁粉與線圈一體壓鑄 | 低EMI輻射 飽和電流:0.5A~20A | 緊湊型電源模塊 |
磁珠 | 鐵氧體磁環包裹導線 | 阻抗曲線:100MHz~1GHz | 信號線EMI抑制 |
四、電感關鍵參數解析
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電感值(L)
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測量頻率:通常標注在100kHz~1MHz下的值。
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頻率響應:高頻下電感值可能下降(磁芯材料限制)。
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飽和電流(I_sat)
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定義:電感值下降10%時的電流(磁芯飽和失效)。
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設計規則:
工作電流 ≤ 80% I_sat
。
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直流電阻(DCR)
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熱損耗:
P_loss = I2 * DCR
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優化目標:DCR應低于總功耗的10%。
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自諧振頻率(SRF)
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定義:電感與寄生電容諧振的頻率。
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公式:
SRF = 1 / (2π√(L * Cp))
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五、電感使用注意事項
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避免磁飽和
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選型步驟:
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計算峰值電流:
I_peak = I_out + ΔI/2
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選擇:
I_sat ≥ 1.2 * I_peak
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高頻特性匹配
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SRF選擇:
工作頻率 ≤ 0.5 * SRF
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布局優化:縮短引腳長度以減少寄生電容。
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熱管理
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溫升計算:
ΔT = (I2 * DCR) / (熱阻 * 散熱面積)
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散熱設計:功率電感需預留散熱過孔或金屬鋪銅。
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EMI控制
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屏蔽電感:用于敏感電路(如ADC附近)。
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非屏蔽電感布局:遠離敏感信號線(間距 > 3倍電感高度)。
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六、電感選型案例
案例:Buck轉換器(輸入24V → 輸出12V/5A,開關頻率500kHz)
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計算電感值:
L = (24V - 12V) * 12V / (24V * 1A * 500kHz) = 12μH
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選型要求:
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飽和電流:
I_sat ≥ 6.6A
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最終選型:Würth 7443631200(12μH,I_sat=7.5A,DCR=25mΩ)
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七、總結
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選型核心:
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電流需求?→ 飽和電流與DCR
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頻率匹配?→ SRF與磁芯材料
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熱設計?→ 溫升與封裝散熱
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設計箴言:
“高頻疊層射頻穩,功率繞線電流強;
飽和電流留余量,熱阻壓降不可忘。”