1.前言
升壓的環境用的沒降壓的多，但是升壓會用在LED的很多電路上，所以理解一下原理
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2.DC-DC升壓原理簡單仿真
升壓原理
下面還是對升壓進行簡單的仿真
拓撲結構以及原理和降壓還是很相似的，只是位置不太一樣，過程推導就不推導了，其中伏秒平衡比較重要，網上教程比較多，主要學習一下大致的原理。
MOS管導通時：只有下圖的紅圈回路導通，給電感充電，電感會生成反向電動勢。
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MOS管關斷時；就會有下圖紅圈的回路導通，電容上的電壓就是加在負載電阻上的電壓，電容上電流比較難討論，我也不是很理解，不做討論，最好有大佬來解惑，這個時候輸出電壓不僅有電源電壓，還有電感生成的電壓，所以就升壓了，升壓的值就是根據伏秒平衡可以計算出來，我這里直接給出公式Vout=Vin/（1-D），D值得是PWM的占空比，圖片中占空比為1/3。
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?仿真結果
先看一下輸出電壓，確實是在7V左右，因為還有個二極管的壓降，所以比理論計算出來的電壓要小0.4-0.6V左右，電感電流方波充放電波形對比，可以看出充放電正好對應PWM開關時，Vd是電感與二極管節點處的電壓，可以看到與理論還是很接近的，
這種電感充放電沒有到0A的地方叫做連續導通模式（CCM）。
下面是整體的仿真，可以仿真剛開始的時候是會有一段非穩態的時間，我理解的話就是充放電還沒達到一個平衡。
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?以上為LTspice仿真。
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仿真途中想到Pspcie仿真的例子里好像就有升壓，打開看了一眼剛好是斷續導通（DCM）的升壓電路，如下圖所示 ，電感上的電流有到0A的情況，可以看到D點處的電壓可能會有震蕩產生，但具體好壞以及作用不了解。
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3.實際芯片升壓?
隨便選了一個adi的芯片，仿真如下圖，可以看到前期也是有一段非穩態的時間的
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4.結尾
實際仿真的時候還是出了很多問題的，比如里面的關鍵電感電阻電容選什么量級的，其實對仿真結果都會有變化，也對實際理解有點作用，還是比較推薦自己仿真試試的。?
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