? 當一個小交流電壓加在發射結上，會產生發射極交流電流，該交流電流的大小取決于Q點位置，而曲線是彎曲的，所以Q點在曲線上的位置越高，發射極交流電流的峰值越大。

? ? ? ? ? ?

? 發射極總電流是直流分量和交流分量疊加而成，即IE = IEQ + ie

? IEQ為發射極直流電流，ie為發射極交流電流，而上圖發射極的總電壓包括直流分量和交流分量，為VBE = VBEQ + vbe

? VBEQ為發射結上的直流電壓，vbe為發射結上的交流電壓，上圖VBE上的正弦變化在IE上產生正弦變化，ie的峰值取決Q點位置，對于曲線的彎曲，同樣的vbe下，Q點在曲線的位置越高，ie越大，即發射結的交流電阻隨發射極直流電流的增加而降低。

? 發射結交流電阻的定義為：r′e = vbe / ie

? 表示發射結交流電阻等于發射結上交流電壓除以發射極交流電流，r′e上的′表示該電阻在晶體管內部，由于vbe基本保持不變（即交流電壓的幅度基本是不變的），所以發射結交流電阻總是隨著發射極直流電流的增加而降低（Q點移動）。

? 并且由于固態物理學和微積分的知識，可以推導出發射結交流電阻的重要公式，即

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?r′e?=25mV?/ IE

? 即發射結交流電阻的估算，該公式適用所有類型晶體管，使用條件是假設滿足小信號、室溫、矩形突變發射結條件，由于商用晶體管一般具有漸變的非矩形結，實際情況會與上述公式有些區別，但是幾乎所有商用晶體管的發射結交流電阻都在25mV?/ IE 和50mV / IE之間。

? 所以r′e很重要，它決定著電壓增益，r′e值越小，電壓增益越高。

? 1.r′e?=25mV?/ IE該公式的物理意義是什么？

答：??該公式僅依賴??載流子熱運動??和??電流連續性原理??，與半導體材料（Si、Ge等）無關，故適用于所有BJT晶體管，在半導體物理中，熱電壓?VT?=qkT?是核心參數（k為玻爾茲曼常數，T為絕對溫度，q為電子電荷），在室溫（25°C）下??，T=298K，計算得?VT?≈25.85mV，近似為 ??25 mV??。

? 熱電壓反映了載流子（電子或空穴）因熱能導致的隨機運動強度，決定了PN結的導電特性。

? 分子25 mV??：源于載流子熱運動能力（熱電壓），室溫下近似為常數，若溫度變化，熱電壓?VT?隨之改變（如0°C時?VT?≈22mV，50°C時?≈28mV）。

? 分母?IE???：反映靜態工作點對載流子濃度的調制作用，電流越大，載流子響應電壓變化的能力越強，電阻越小。

? 2.為什么r′e很重要，決定了電壓增益？

答：根本原因在于它??直接反映了發射結載流子濃度梯度對小信號電壓的響應能力??，進而控制集電極電流的變化幅度，發射結本質是基區與發射區之間的載流子注入通道。當基極-發射極電壓VBE變化時，勢壘高度改變，導致??注入基區的少數載流子濃度梯度??變化。

? r′e的物理意義是：??單位電壓變化能引起多少載流子濃度梯度的改變?。?

? （1）.高r′e（如IE小）??：載流子濃度梯度平緩，相同電壓變化只能驅動少量載流子穿過基區，相當于“閘門阻力大”。

? （2）.低r′e（如IE大）??：載流子濃度梯度陡峭，微小電壓變化即可引發大量載流子注入，相當于“閘門阻力小”

? 而集電極電流IC由基區到達集電結的載流子數量決定，由于基區寬度極薄，載流子擴散是主導機制?，r′e越小，載流子對VBE變化的響應越靈敏??，相同ΔVBE能產生更大的ΔIC，而電壓增益Av正比于ΔIC在負載電阻上的壓降（ΔIC·RL），因此r′e直接控制增益的“放大倍數源頭”。

??注：以上僅個人觀點，如有錯誤，懇請批評指正