2025年7月23日，美國國家標準與技術研究院（NIST）與美國海軍研究實驗室的Andrew J. Winchester等人在《Applied Physics Letters》期刊發表了題為《Electronic properties of extended surface defects in homoepitaxial GaN diodes》的文章，基于光電發射電子顯微術、導電原子力顯微術及電致發光表征，對比研究了HVPE“dot-core”與氨熱法GaN同質外延襯底上p-i-n二極管中的星形與三角形擴展表面缺陷的電子特性；實驗結果表明，星形缺陷源于螺位錯，增加漏電流并降低擊穿電壓，為“致命缺陷”，而三角形缺陷可能源于層錯，隨機分布導致器件性能離散與失效風險升高。該研究的結果對氨熱法GaN襯底在缺陷控制與高壓功率器件可靠性提升方面具有重要指導意義。

Winchester A J, Ortiz Jimenez V, Weiss D, Richter C A, Hamadani B H, Mastro M A, Anderson T J, Hite J K, Pookpanratana S. Electronic properties of extended surface defects in homoepitaxial GaN diodes[J]. Applied Physic