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目錄
一.自舉電容
1.自舉電容的作用
2.自舉電路原理
3.工作過程分析
4.實際應用中的問題
5.關鍵要點
二.自舉電容實現MOSFET高端驅動
2.1MOSFET半橋高端驅動的基本原理
2.2自舉電路實現方法
2.3柵極驅動IC的選擇
2.4替代方案比較
三 .案例分析
3.1自舉電路工作流程
3.2常見應用場景
一.自舉電容
1.1自舉電容的作用
- 自舉電容主要用于解決高端MOS管的驅動問題。當MOS管的源極(Source)電壓升高時,柵極(Source)電壓需要比源極更高才能保持導通。自舉電路通過電容的充放電特性,自動提升柵極電壓,確保MOS管穩定工作。
1.2.自舉電路原理
- 自舉電路通常由一個電容和一個二極管組成。電容在MOS管關閉時通過電源充電,儲存能量。當MOS管導通時,源極電壓升高,電容兩端的電壓無法突變,從而將柵極電壓“抬升”到高于電源電壓的水平。二極管用于防止升壓后的電壓回灌到電源。
1.3.工作過程分析
- 假設MOS管的漏極(Drain)電壓為12V,初始狀態下源極電壓為0V,柵極驅動電壓也為12V。當MOS管導通時,源極電壓會迅速上升到接近12V(減去一個很小的導通壓降)。此時柵極和源極之間的電壓差(Vgs)接近0V,導致MOS管無法維持導通狀態。
- 加入自舉電容后,電容在MOS管關閉時充電至12V。當MOS管導通、源極電壓升高時,電容的電壓疊加在源極電壓上,使得柵極電壓被“抬升”到24V左右(12V + 電容電壓)。這樣Vgs始終保持足夠的電壓差,確保MOS管持續導通。
1.4.實際應用中的問題
- 如果沒有自舉電容,MOS管會在導通和關斷之間快速切換,產生高頻脈沖。這些脈沖會導致MOS管承受過大的電壓應力,最終損壞器件。自舉電容通過穩定柵極電壓,避免了這種振蕩現象。
1.5.關鍵要點
- 自舉電容通過充放電提升柵極電壓,確保高端MOS管穩定導通。
- 二極管的作用是防止升壓后的電壓反灌到電源。
- 電容的電壓疊加特性是自舉電路的核心。
二.自舉電容實現MOSFET高端驅動
2.1MOSFET半橋高端驅動的基本原理
- 高端MOSFET(Q1)的驅動難點在于其源極電壓隨開關狀態浮動。當Q1導通時,源極電壓接近母線電壓(Vbus),柵極電壓需高于源極電壓一個閾值(Vth)才能維持導通。這種“自舉”效應需要特殊電路設計。
2.2自舉電路實現方法
采用自舉電容和二極管構成升壓電路。當低端MOSFET(Q2)導通時,自舉電容通過二極管充電至驅動電源電壓(Vcc)。當Q2關斷、Q1需要導通時,電容電壓疊加在浮動的源極上,為柵極提供足夠高的驅動電壓。
電路關鍵元件包括:
- 自舉二極管:防止電容放電回流
- 自舉電容:儲能元件,容量需滿足開關頻率需求
- 柵極電阻:控制開關速度
2.3柵極驅動IC的選擇
專用高壓柵極驅動IC(如IR2110)集成以下功能:
- 電平移位電路:將控制信號從低壓域轉換到高壓域
- 死區時間控制:防止上下管直通
- 欠壓鎖定保護:確保驅動電壓足夠
典型接線方式:
- 低邊驅動直接連接控制器
- 高邊驅動通過自舉電路供電
- 邏輯地與功率地單點連接
二極管選型要求:
- 反向耐壓高于母線電壓
- 快恢復特性(如肖特基二極管)
- 低正向壓降
布局要點:
- 減小自舉回路寄生電感
- 高邊驅動返回路徑直接接MOSFET源極
- 避免功率環路與信號環路交叉
2.4替代方案比較
電荷泵驅動:
- 適用100%占空比場合
- 電路復雜度較高
集成驅動模塊:
- 簡化設計流程
- 提供完善保護功能
- 適合大功率應用
三 .案例分析
3.1自舉電路工作流程
充電階段(低端MOSFET導通) 當低端MOSFET導通時,電流路徑為:+15V電源 → 自舉二極管D1 → 自舉電容C1 → 低端MOSFET → 地。此時電容C1被充電至約15V(Uc≈15V),高端MOSFET的柵極電壓Ug與源極Us相同(Ug=Us),高端管保持關閉。
放電階段(低端MOSFET關斷,高端MOSFET導通) 低端MOSFET關斷后,充電回路斷開,自舉二極管D1因反向截止。此時高端MOSFET的源極Us電壓升至母線電壓(如高壓側供電),而電容C1的電壓Uc(15V)疊加在Us上,使得柵極電壓Ug=Us+Uc。因此,柵源電壓Ugs=Ug-Us=Uc≈15V,足以驅動高端MOSFET導通。
關鍵點
- 自舉電容C1在低端管導通時充電,高端管導通時放電。
- 電容電壓Uc為高端管提供額外的柵極驅動電壓,確保Ugs滿足開啟需求。
- 自舉二極管D1防止電容放電時電流倒灌。
3.2常見應用場景
此電路廣泛用于半橋或全橋拓撲中,解決高端MOSFET驅動電壓不足的問題,尤其適用于母線電壓遠高于邏輯電平的場合(如電機驅動、電源轉換器)。