目錄
一、基本概念
二、關鍵參數對比
三、工作原理
（1）高邊驅動
（2）低邊驅動
四、典型的應用場景
五、如何選擇
一、基本概念
可以理解成：高低邊驅動是MOS/IGBT的一種應用方式
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高低邊驅動是電路拓撲概念，描述的是?開關器件（如MOSFET、IGBT）在電路中的位置：
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高邊驅動：開關位于電源（+V<sub>CC</sub>）和負載之間。
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低邊驅動：開關位于負載和地（GND）之間。
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MOSFET/IGBT是具體實現開關的器件，高低邊驅動則需要配合?驅動電路（如柵極驅動器、電荷泵等）。
二、關鍵參數對比
三、工作原理
（1）高邊驅動
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N-MOSFET 方案：
需電荷泵或自舉電路（如?LM5050）將柵極電壓抬升至高于電源電壓（V<sub>GS</sub>?> V<sub>CC</sub>） -
P-MOSFET 方案：
直接驅動，但 R<sub>DS(on)</sub>?較大，效率低。
（2）低邊驅動
直接通過邏輯電平控制 N-MOSFET 柵極，無需電壓抬升
四、典型的應用場景
五、如何選擇
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選高邊驅動：
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負載需始終接地（如汽車大燈）。
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系統需防短路（工業設備）。
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選低邊驅動：
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成本敏感，無需隔離（如家用電器）。
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高頻開關（如 PWM 調光）。
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這里注意區別我們常說的MOS管的驅動芯片，MOS管的驅動芯片的存在主要是為了開通MOS管，為了提供MOS管開通所需要的電壓，需要自舉升壓電路，驅動芯片的意義正是自舉升壓相關的一些電路。驅動芯片簡單而言就是把單片機產生的PWM波形進行放大輸入到MOS管的柵極G，從而達到開通關斷MOS管的目的。
參考：電機控制器功率電路MOS管及驅動芯片選型若干問題總結_電機驅動mos管選型-CSDN博客
--linux內核之V4L2框架及ov9281驅動分析(中))
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