前言

在通過OTA的方式對設備進行升級，若在使用內部FLASH裝載固件程序的方式下，需要擦寫 內部FLASH 從而實現把新的固件程序寫入到 內部FLASH。

參考文檔：ST的閃存編程文檔

STM32F105的內部ROM分布

F105屬于互聯型設備，其內部的主存儲器ROM有256KB。
這256KB 由 128頁 ，每頁2KB的頁面組成

Information block 分為兩個部分：System memory 和 Option bytes

• System memory：
  這個部分存儲了是STM32官方系統的bootloader程序，在通過選擇對應的BOOT模式可以進入該bootloader程序；該bootloader程序是通過 把USART1的傳輸過來的程序 寫入到Main memory中。
  在互聯型產品中，bootloader程序 還可以讀取 USART2(重映射)等接口，從而燒錄程序。
• Option bytes
  有兩種保護方式：①寫包含；②讀保護

注意：
1.只有在寫FLASH完畢后，才能正確的讀取FLASH。在 寫FLASH時讀取FLASH，將會造成寫失敗；
2.只有在內部高速晶振開啟時，才能寫入/擦除內部FLASH。
3.在低功耗模式下，對FLASH的任何訪問將被中止。

STM32F10x的閃存擦寫

STM32F10x的閃存擦寫由 FPEC 控制。

FPEC指Flash program and erase controller，FPEC由7個32位的寄存器組成。

注意：只有CPU沒有訪問 正在操作的FLASH，CPU將不會因操作FLASH而阻塞。

解鎖FPEC

在復位后，FPEC是被保護著。

需要往 FLASH_KEYR 寄存器寫入固定的值，才可解開FPEC的鎖。

如果這個值寫錯了，那么只有在下一次復位后，才能再次接口FPEC的鎖。

Main FLASH 的編寫

每次只能往main flash寫入16位數據。

在寫入main flash的指定地址時，若該地址并未被擦除，則FLASH_SR的 PGERR 將會被置位。
若該地址是寫保護的(通過 FLASH_WRPR 設置)，則FLASH_SR的 WRPRTERR 將會被置位。

標志的擦寫 main Flash的步驟如下：

main Flash的擦除

在編寫 main Flash 之前，需要先擦除。

擦除 main Flash 的方式有兩種：頁擦除，全擦除。

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頁擦除：頁擦除是擦除 main Flash的一個頁面。

map 0x40000000,0x40080000 read write

注意點

在使用stm32自帶的flash保存數據時候，如下特點必須知道：

1、必須是先擦除一個扇區，才能寫入

2、讀數據沒有限制

3、寫數據必須是偶數（2字節、4字節），同時寫入地址以一定要考慮字節對齊，

4、一般都是在最后幾頁進行數據保存的，確保數據量不超過flash的的大小，比如f103大容量是2k字節，其實一個扇區只能寫入1k數量的2字節的數據。

http://eeskill.com/article/id/29479

5、寫入數據時，采用大端模式，如想往 0x0800 0000寫入0x31 0x32 0x33 0x34，則寫入的數據是uint32_t data = 0x31 + 0x32<<8 + 0x33<<16 + 0x34<<24;即寫入0x34333231

6、一旦寫入數據，無論你寫的是FLASH擦除后的默認值0xff還是其他值，若在不擦除的情況下再次往該地址寫數據，必定失敗。

7、若遇到寫入 或 擦除失敗的清空，需要清除標志位后才能再繼續寫入或擦除。

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP |   FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
flash_sta=FLASH_ErasePage(UPDAFLAG_FLASH_56K);