EAK金屬硅電阻器類似于陶瓷復合電阻器，在脈沖負載方面具有優勢，需要高峰值功率或高電壓與低電感（如預充電電路）的組合。硅金屬電阻器具有更高的連續額定溫度，為 350°C，而陶瓷電阻器為 250°C。這種擴展的溫度范圍使其適用于需要預充電電阻器的 EV 預充電電路和浪涌限制應用。 結構簡單，由分散在整個元件主體中的硅和金屬導電顆粒、主體末端的金屬觸點以及用于高壓電阻器應用的防偏移涂層組成。電阻式硅金屬元件使用適合高能電阻器應用的體電阻率的特定材料混合物制造。

在組合物混合物中選擇合適的材料電阻率在幾個選項之間有所不同，以便根據高壓電阻器/高能電阻器應用來控制和定制性能。混合后，材料被造粒并壓制成所需的特定形狀。這會產生一個高溫和導電的塊狀硅金屬線性電阻器。 為了產生電觸點，鋁、銅或黃銅被火焰噴涂到EAK高能電阻器的平面上。在將連接焊接到金屬化層的情況下，進一步添加 Sn、Zn、PD、Cu、Ag、Zr 和 Co 可形成導電且機械高度可靠的金屬表面。 對于高能電阻盤或高壓電阻棒和管，邊緣涂有防偏移涂層以提高介電耐受性。 各種幾何形狀和電阻率范圍可以處理數百焦耳到兆焦耳的能量。這些無感功率電阻器（陶瓷電阻器）堅固耐用，具有恒定的機械強度，只要避免直接沖擊，就具有良好的壓縮規格和吸收傳遞的機械沖擊的能力。

EAK硅金屬電阻器的技術優勢

硅金屬電阻器非常適合需要無感電阻器在高壓下工作以提供高能量吸收的應用，在高溫下（如預充電電路電阻器中的電阻器）。 與電阻元件僅占元件總質量的一小部分的薄膜或繞線電阻器相比，硅金屬電阻器的主體結構將大部分元件質量集中到電阻元件中，允許高能量事件均勻分布在整個材料質量中，類似于碳成分電阻器或陶瓷電阻器（陶瓷復合電阻器）， 沒有薄膜或電線會失效。這賦予了在脈沖或浪涌易發負載下實現高峰值功率和高可靠性的能力。 由于 100% 的活性材料是導電的，因此它可以產生尺寸最小的高能量電阻器，適用于脈沖或高能量應用，如預充電電路。大容量電阻器本質上是無感電阻器，具有高能量密度。

與碳復合電阻器相比，陶瓷復合電阻器和硅金屬電阻器的散熱速度更快，在硅金屬電阻器的情況下，甚至可以容忍更高的平均功率。硅電阻器的高溫能力也比碳成分電阻器甚至陶瓷電阻器具有更高的能量密度，這意味著零件更小或更少，從而獲得更好的可靠性并降低成本。 與陶瓷電阻器一樣，硅金屬電阻器在極端電壓和溫度下也表現出更好的穩定性。與其他“大容量”電阻器一樣，它們是無感的。這使得它們非常適合電池或高頻應用的預充電電路中的預充電電阻器。

典型的金屬硅電阻器應用

EV預充電電阻

高頻激光脈沖應用

電容器放電

無感電阻器，非容性作為負載突降

放大器應用需要無感功率電阻器。

預充電電阻電路

發電機和風力渦輪機作為負載突降

緩沖器應用

虛擬負載

過壓保護

電池預充電電路

EAK硅金屬電阻器是油下使用的理想選擇

大多數電阻元件不太適合高電壓和高能量的組合。當傳統的電阻元件（繞線或薄膜類型）在油下使用時，高能量事件會導致導電元件的溫度升高很大。由于元件的表面積小，這種高熱通量很難消散。這些小元件產生的高熱量也帶來了油降解的風險。在可生物降解油的情況下，它們變得越來越普遍，它們具有更高的水分，并且可以有更多的碳氫化合物氣體溶解在油中。這可能導致油品降解，影響關鍵的熱和電氣規格。 對于給定的高能量事件，硅金屬電阻器的溫升要低得多，因為 100% 的活性材料是導電的，它允許能量和功率均勻地分布在整個質量中。硅金屬線性電阻器還具有更大的表面積，使熱能更容易地傳導到油中。在大多數油下的性能也是眾所周知的。

硅電阻器 - 硅金屬陶瓷復合電阻器

硅金屬電阻器（Si-Metal）是硅金屬電阻器，具有100%活性材料，具有極高的浪涌能量額定值，并提供比傳統陶瓷復合電阻器更高的擴展工作溫度。這些 Siico 電阻器允許 350°C 的連續額定溫度和 390°C 的短期額定溫度。 我們的金屬硅電阻器適用于需要高耐壓性和高電流密度的空氣、油和 SF6 環境和應用。 硅金屬電阻器的獨特結構可實現最高的連續額定功率和高能量吸收。硅金屬線性電阻器故障發生在 600°C 及以上。硅金屬電阻器的常見幾何形狀是不同尺寸的棒和管。與其他陶瓷電阻器一樣，金屬硅電阻器可以串聯或并聯，以獲得不同的總能量、電氣值和額定功率。

硅電阻器材料特性