注意："易失/非易失"是指存儲器斷電后，它存儲的數據內容是否會丟失的特性。

（一）RAM和ROM

1.1 RAM

RAM即隨機存儲器，它是指存儲器中的數據被讀入或者寫入與信息所在位置無關，時間都是相同的

1.1.1 DRAM

DRAM即動態隨機存儲器，它以電容的電荷表示數據，由于電容的充放電效應，所以存儲數據需要定時刷新才能保證數據的正確性。它的優點是集成密度遠高于SRAM，功耗低，價格也低；缺點是因需要舒心而使外圍電路復雜，速度較SRAM慢，但是比任何ROM都快。盡管如此，由于DRAM[1]存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產品。

根據DRAM的通信方式又可以分為同步和異步，這兩種方式根據是否需要時鐘信號來區分，由于同步的通信更快，所以同步的DRAM使用更廣泛，同步的DRAM又被稱為SDRAM
為了進一步提高SDRAM的通信速度，又設計了DDR SDRAM，雙倍速率SDRAM，它是在SDRAM上的一種改進，至于DDRII和DDRIII他們的通信方式并沒有區別，主要是通信的同步時鐘的頻率提高了。
小知識：當前計算機的內存條是DDRIII SDRAM

特性	DRAM	SRAM
存取速度	較慢	較快
集成度	較高	較低
生產成本	較低	較高
是否需要刷新	是	否

1.1.2 SRAM

SRAM靜態隨機存儲器，這種存儲器是以鎖存器的形式存儲數據，由于不需要定時刷新充電，所以稱為靜態的。它的優點是速度快、使用簡單、不需要刷新、靜態功耗極低，常用作緩存；缺點就是元件較多、集成密度低、運行功耗大，價格高

PSRAM:

基本原理：PSRAM就是偽SRAM，內部的內存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那樣復雜的控制器和刷新機制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。PSRAM主要應用于手機，電子詞典，掌上電腦，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消費電子產品與SRAM(采用6T的技術)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術,所以在體積上更小,同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對于要求有一定緩存容量的很多便攜式產品是一個理想的選擇。

1.2 ROM

ROM即只讀存儲器，一般用于指現代非易失性存儲半導體

1. MASK ROM
   MASK(掩膜) ROM就是正宗的"Read Only Memory"，存儲在它內部的數據是在出廠時使用特殊工藝固化的，生產后就不可修改，其主要優勢是大批量生產時成本低。當前在生產量大，數據不需要修改的場合，還有應用。
2. OTPROM
   OTPROM(One Time Programable ROM)是一次可編程存儲器。這種存儲器出廠時內部并沒有資料，用戶可以使用專用的編程器將自己的資料寫入，但只能寫入一次，被寫入過后，它的內容也不可再修改。在NXP公司生產的控制器芯片中常使用OTPROM來存儲密鑰；STM32F429系列的芯片內部也包含有一部分的OTPROM空間。
3. EPROM
   EPROM(Erasable Programmable ROM)是可重復擦寫的存儲器，它解決了PROM芯片只能寫入一次的問題。這種存儲器使用紫外線照射芯片內部擦除數據，擦除和寫入都要專用的設備。現在這種存儲器基本淘汰，被EEPROM取代。
4. EEPROM
   EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是電可擦除存儲器。EEPROM可以重復擦寫，它的擦除和寫入都是直接使用電路控制，不需要再使用外部設備來擦寫。而且可以按字節為單位修改數據，無需整個芯片擦除。現在主要使用的ROM芯片都是EEPROM。

（二）NOR FLASH 和NAND FLASH的區別

FLASH 又稱為閃存，也有人稱為FLASH ROM，它們的容量一般較大，在擦除時一般以多字節為單位。 相同點：

• Nor flash 和nand flash都是在寫入之前進行擦除的

區別：
主要在于Nor flash 的地址線和數據線分開，它可以按字節讀取數據，符合CPU的指令譯碼執行要求， 所以NOR FLASH 可以運行代碼，即CPU給NOR FLASH 一個地址，NOR FLASH 就能向CPU返回一個數據讓CPU執行，不需要額外的操作，NOR的特點是應用簡單、無需專門的接口電路、傳輸效率高。
而NAND FLASH 數據線和地址線共用，只能按塊讀寫數據，即使存儲了代碼指令，它也無法返回某數據的地址，所以不能運行程序，NAND FLASH結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，應用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統接口。
由于兩種FLASH存儲器特性的差異，NOR FLASH一般應用在代碼存儲的場合，如嵌入式控制器內部的程序存儲空間。而NAND FLASH一般應用在大數據量存儲的場合，包括SD卡、U盤以及固態硬盤等，都是NAND FLASH類型的。

特性	NOR FLASH	NAND FLASH
同容量存儲器成本	較貴	較便宜
集成度	較低	較高
介質類型	隨機存儲	連續存儲
地址線和數據線	獨立分開	公用
擦除單元	以扇區為單位	以塊為單位
讀寫單元	可以基于字節讀寫	必須以塊為單位讀寫
讀取速度	較高	較低
寫入速度	較低	較高
壞塊	較少	較多
是否支持XIP	支持	不支持

（三）emmc

eMMC (Embedded Multi Media Card)是MMC協會訂立、主要針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規格。eMMC在封裝中集成了一個控制器，提供標準接口并管理閃存，使得手機廠商就能專注于產品開發的其它部分，并縮短向市場推出產品的時間。