雙極性晶體管：NPN和PNP管；

單極性晶體管：場效應管（MOSFET和JFET）；

MOS管相對三極管具有速度快、輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、容易集成等優點。

下面總結下其主要參數與重要特性，只有比較好的理解了各種參數和特性才能設計出穩健可靠的電路。

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主要參數：

• 靜態特性參數

BVDSS：漏源擊穿電壓，為正溫度系數。

BVGS：柵源擊穿電壓

VGS(th)：閾值電壓，為負溫度系數。

RDS(on)：導通電阻；

RGS：柵源電阻，柵源之間電壓與柵極電流之比；

IDSS：零柵壓漏極電流，正溫度系數；

IGSS：柵源漏電流，特定的柵源電壓下流過柵極的電流；

• 動態特性參數

Ciss輸入電容，漏源短接，交流信號測得的柵極和源極之間的電容。

Ciss=Cgs+Cgd，輸入電容充電到閾值電壓時器件開啟，放電到一定值器件關斷，因此驅動電路和Ciss對器件的開啟和關斷延時有直接影響；

Coss輸出電容，柵源短接，交流信號測得漏極和源極之間的電容。

Coss=Cds+Cgd，對于軟開關應用，可能引起電路諧振；

Crss反向傳輸電容，源極接地，測得漏極和柵極之間電容，等同于Cgd。

也叫做米勒電容，對于開關的上升和下降時間及其重要。

Td（on）導通延遲時間：柵源電壓上升到10%柵極驅動電壓時到漏電流升到規定電流的90%所經歷的時間。

Td（off）關斷延時時間：柵源電壓下降到90%柵極驅動電壓時到漏電流下降到規定電流的10%所經歷的時間。

Tr：上升時間：漏極電流從10%上升到90%所經歷的時間；

Tf：下降時間：漏極電流從90%下降到10%所經歷的時間；

NF低頻噪聲系數：噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的，由于它的存在可以使放大器在沒有信號輸入時，輸出端也會有不規格的電壓電流變化。場效應管的噪聲系數一般幾個分貝，比雙極性三極管的要小。

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重要特性：

• 導通特性

導通的意義是作為開關，相當于開關閉合。Vgs滿足一定條件就會導通。

• 損失特性

導通后均有導通電阻存在，電流就會被電阻消耗能量，這部分叫做導通損耗；

小功率的管子導通電阻一般幾毫歐幾十毫歐，Vgs電壓不一樣電阻也不一樣。

管子在導通和截止時，兩端電壓有個降落過程，電流有個上升過程，在這段時間內

管子的損失是電壓和電流的乘積，稱之為開關損失；通常開關損失比導通損失大很

多，頻率越快，損失越大。縮短開關時間，降低開關頻率均能減小開關損失。

• 寄生電容驅動特性

GS GD之間存在寄生電容，MOS管的驅動理論上是對電容的充放電；

對電容的充電需要一個電流，由于電容充電瞬間可以看成短路，所以瞬間電流會比

較大，所以選型時需要注意抗沖擊電流大小。

• 寄生二極管

漏極源極之間有個寄生二極管也叫做體二極管，在感性負載（馬達繼電器）應用

中，主要用來保護回路。不過體二極管只在單個MOS管中，集成芯片中是沒有的。

• 轉移特性

場效應管的轉移特性是指漏源電壓固定時，柵源電壓Vgs對漏極電流Id的控制特性；

Vertical D-MOS管2N7002的轉移特性；VDMOS的跨導（gm）線性度較好。

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