關于PowerTrench? MOSFET？

它是一種MOS場效應晶體管，可以提高系統效率和功率密度。該技術采用了屏蔽柵極技術，可以減少開關損耗和導通損耗，從而提高了系統效率。此外，PowerTrench? MOSFET還具有低導通電阻和高開關速度的特點，可以提高系統的功率密度。

P溝道：

是一種MOS場效應管，它的源極S接輸入，漏極D導通輸出，與N溝道相反。當P溝道的柵極電壓低于閾值電壓時，無法形成導電溝道，管子處于截止狀態。只有當柵極電壓高于閾值電壓時，才有溝道形成。這種必須在柵極電壓高于閾值電壓時才能形成導電溝道的MOS管稱為增強型P溝道MOS管。溝道形成以后，在漏極和源極間加上正向電壓，就有漏極電流產生。

FDG6306P 此 P 溝道 2.5V 指定 MOSFET 是先進的 PowerTrench 工藝的堅固門極版本。它針對較寬門極驅動電壓額定值 (2.5V – 12V) 的功率管理應用進行了優化。

特性：

1.-0.6 A、-20 V。

2.RDS(ON) = 420 mΩ @ VGS = –4.5 V

3.RDS(ON) = 630 mΩ @ VGS = –2.5 V

4.低柵極電荷

5.高性能溝道技術可實現極低的RDS(ON)

6.緊湊的工業標準SC70-6表面貼裝封裝

應用領域：

變頻器

工業逆變器

不間斷電源

感應加熱

新能源汽車