Xx 芯片測試結果顯示，offset 指標偏高，不符合指標要求。所以查看了資料，溫習了減小的失配的方法。
注意點一：
將所有offet折算到輸入端，得到以下公式：
可以看到a）閾值電壓失配直接折算成輸入offset。b）負載電阻失配與晶體管尺寸失配對失調的影響，隨著（VGS-Vth）增大而增大。
如果負載是管子
負載管對失調的作用需要乘以gmp/gmn.要減小失調需要減小負載管的gm，增大出入對管的gm。
注意點二：
電流鏡之間的失配公式：
（Vgs-Vth）要大些，失配才小些。
由于有連線電阻，電流鏡遠距離匹配不容易。通常做法，送一路電流到本地，本地產生電流鏡送到需要的模塊。本地電流鏡layout 需要遵循匹配畫法，晶體管取向要一致，所有溝道長度必須相等。
注意點三：
大管子有線性梯度效應，引起失配，所以可以采用共中心的布局方法，但是連線對稱要求會很高，很復雜。所以一般只采用一維交叉耦合的方法來抑制。
圖a是ABBA，圖b是ABAB。效果是ABBA 效果好。記得需要兩邊加dummy，因為有柵陰影效應，主要是離子注入的時候會傾斜7°，在注入區退火后，使源區和漏區的邊緣的擴散產生了細微的不對稱。
增加dummy管的方式，使M1和M2管的柵陰影效應一致。如果沒有dummy，M1源區的右邊是M2，M2源區的右邊為場氧。M1和M2的周圍環境不一致。
注意點四：
需匹配的管子周邊環境需要保持一致，加dummy管是一種辦法。還要注意以下幾點
a）走線也需要對稱
b）Poly 方向要一致
c）避免match管上走線，M1尤其要注意，如果不可避免，要對稱
d）如果gate 要接長線，需要盡早改用高層走線，避免天線效應
e）網狀poly連接不好，就是用poly相連成網狀，建議把網狀分開，用metal連線
f）Match管兩邊打的co和va 位置要對稱，數量一致。
根據這些規則，檢視了版圖，去掉匹配管上的走線，改成其他方案走線。流片回來后重新測試，失配性能改善，滿足規格要求。
