描述

AT8236是一款直流有刷電機驅動器，能夠以高達6A的峰值電流雙向控制電機。利用電流衰減模式，可通過對輸入信號進行脈寬調制(PWM) 來控制電機轉速，同時具備低功耗休眠模式。
AT8236集成同步整流功能，可顯著降低系統功耗要求。
內部保護功能包含過流保護，短路保護，欠壓鎖定和過溫保護。AT8236N提供一個故障檢測輸出管腳。
AT8236提供一種帶有裸露焊盤的ESOP8封裝，能有效改善散熱性能，且是無鉛產品，符合環保標準。

應用

打印機及辦公自動化設備
電器
智能家居
工業控制

特點

●單通道H橋電機驅動器
●寬電壓供電，5.5V-36V
●低RDS(ON) 電阻，200mΩ（HS+LS）
●6A峰值驅動輸出，4A連續驅動輸出
●PWM控制接口
●支持低功耗休眠模式

型號選擇

訂貨型號	封裝	包裝信息
AT8236	ESOP8	編帶，4000顆/盤
AT8236N	ESOP8	編帶，4000顆/盤

典型應用原理圖

管腳列表

4腳定義不同，左側4腳VREF,右側4腳NFAULT

管腳名	管腳序號	管腳定義	外圍元件與連接
GND	1	芯片地	GND管腳和芯片裸焊盤接到電源地
PPAD	-	芯片地	GND管腳和芯片裸焊盤接到電源地
VM	5	芯片電源	芯片電源和電機電源，需做好電源濾波
IN1	3	邏輯輸入	控制H橋輸出狀態，內置下拉電阻
IN2	2	邏輯輸入	控制H橋輸出狀態，內置下拉電阻
VREF	4	參考電壓輸入(8236)	參考電壓輸入，來設定驅動峰值電流
nFAULT	4	故障檢測輸出(8236N)	開漏輸出，使用外接上拉電阻。當過流、過溫、欠壓，nFAULT將被拉低
ISEN	7	H橋 檢流輸入/地	H橋檢流端，接檢流電阻到地，若不需要限流，直接接地
OUT1	6	H橋輸出 1	H橋輸出，定義正向電流為 OUT1 → OUT2
OUT2	8	H橋輸出 2

推薦工作條件 atT A = 25°C

參數	符號	最小	典型	最大	單位
功率電源	VM	5.5	-	36	V
連續輸出電流	IOUT	0	-	3	A
峰值輸出電流	IPEAK	0	-	4.5	A
邏輯輸入電壓	VIN	0	-	5.25	V
邏輯輸入頻率 f PWM 0 - 100 kHZ
參考電壓	VREF	0.5	-	4	V
(*) 芯片大電流工作時，需做好芯片散熱。

電氣特性 atT A =25°C,V M =24V

參數		測試條件	最小	典型	最大	單位
IVM	VM 靜態工作電流	fPWM < 50 kHz	-	4.5	6	mA
RDS(ON)	高側+低側 FET 電阻	IO = 1A， T J = 25°C	-	200	-	mΩ
IOCP		過流閾值	6	7	10	A

H橋控制

輸入管腳 IN1、IN2 控制 H 橋的輸出狀態。下表是輸入輸出間的邏輯關系：

IN1	IN2	OUT1	OUT2	功能
0	0	Z	Z	滑行，休眠
1	0	H	L	正向
0	1	L	H	反向
1	1	L	L	剎車

H橋控制邏輯表

當使用 PWM 控制來實現調速功能時，H 橋可以操作在兩種不同的狀態，快衰減或者慢衰減。在快衰減模式，H 橋是被禁止的，續流電流流經體二極管；在慢衰減模式，輸出 H 橋的兩個下管都是打開的。

IN1	IN2	功能
PWM	0	正轉 PWM, 快衰減
1	PWM	正轉 PWM, 慢衰減
0	PWM	反轉 PWM, 快衰減
PWM	1	反轉 PWM, 慢衰減

功能邏輯表

下圖顯示了在不同驅動和衰減模式下的電流通路。

驅動與衰減模式

電流控制

當一個 H 橋被使能，流過相應橋臂的電流上升，當電流達到設定的閾值，驅動器輸出關斷，直到下一個 PWM循環開始。注意，在 H 橋被使能的那一刻，ISEN 管腳上的電壓是被忽略的，經過一個固定時間后，電流檢測電路才被使能。這個消隱時間一般固定在 2.2us。這個消隱時間同時決定了在操作電流衰減時的最小 PWM 時間。

PWM目標電流是由比較器比較連接在ISEN管腳上的電流檢測電阻上的電壓乘以一個10倍因子和一個參考電壓決定。AT8236 的參考電壓通過 VREF 管腳輸入，AT8236N 則內部固定 V REF 電壓為 3.3V。以下公式為 100%計算目標電流：

死區時間

當輸出由高電平轉變成低電平，或者由低電平轉變為高電平時，存在一個死區時間以防止上下管同時導通。
死區時間內，輸出是一個高阻態。當需要在輸出上測量死區時間，需要根據相應管腳當時的電流方向來測量。
如果電流是流出此管腳，此時輸出端電壓是低于地電平一個二極管壓降；如果電流是流入此管腳，此時輸出端電壓是高于電源電壓 VM 一個二極管壓降。

時間參數

休眠模式

當 IN1、IN2 都為低，維持 1ms 以上，器件將進入休眠模式，從而大幅降低器件空閑的功耗。進入休眠模式后，器件的 H 橋被禁止，電荷泵電路停止工作。當 IN1 或 IN2 翻轉為高電平且維持至少 5us，經過約 1ms 的延時后，芯片將恢復到正常的操作狀態。

過流保護 (OCP)

當流過輸出管的電流超過過流閾值，芯片輸出關斷。經過 3ms，芯片會嘗試重啟，恢復正常。

過溫保護 (TSD)

如果結溫超過安全限制閾值，H 橋的 FET 被禁止。一旦結溫降到一個安全水平，所有操作會自動恢復正常。

欠壓鎖定保護(UVLO)

如果 VM 管腳上的電壓降到低于欠壓鎖定閾值，輸出被禁止，內部邏輯復位。當 VM 上的電壓上升到 VUVLO以上，電路恢復正常工作。

PCB 版圖建議

PCB 板上應覆設大塊的散熱片，地線的連接應有很寬的地線覆線。為了優化電路的電特性和熱參數性能，芯片應該直接緊貼在散熱片上。
對電源 VM，應該連接不小于 47uF 的電解電容對地耦合，電容應盡可能的靠近器件擺放。
為了避免因高速 dv/dt 變換引起的電容耦合問題，驅動電路輸出端電路覆線應遠離邏輯控制輸入端的覆線。
邏輯控制端的引線應采用低阻抗的走線以降低熱阻引起的噪聲。

典型應用示例

以下給出特定工作條件下的應用原理圖范例：

VIN	24V
IOUT	2A
VREF	3.0V