電路作用與每個器件
R1（10 kΩ，上拉到 3V3）
讓 NRST 在無外力時保持高電平＝不復位；同時與電容形成 RC，決定上電復位延時。阻值不能太小（否則調試器或芯片復位驅動下拉電流太大），10 kΩ是通用值。K1（按鍵到 GND）
人工復位。按下立即把 NRST 拉低＝異步復位；松開后靠 R1 把 NRST 拉高，電容讓上升沿變緩，起到去抖與延時作用。C3（0.1 μF 到 GND）
提供 上電/松手后的延時與抗干擾。抑制尖峰與毛刺，避免誤復位；也能在電源很慢爬升時，保證“電源穩定后再釋放復位”。
多數 STM32 的 NRST 口內置一只約 40–50 kΩ 的弱上拉；外接 10 kΩ 后并聯等效約 8 kΩ，有利于抗干擾但不會過載拉低驅動。
上電與松手時序（為啥能“穩”）
上電或松開按鍵后，NRST 電壓按 RC 充電關系上升：
$$
V_{NRST}(t) = V_{DD}\big(1-e^{-t/RC}\big), \quad R\approx 10\,\text{k}\Omega,\ C=0.1\,\mu\text{F}
$$
RC = 10k × 0.1μF = 1 ms
當 NRST 的上升閾值取不同比例時，釋放復位的近似時間：
$$0.5·VDD：t≈0.693?RC≈0.69t \approx 0.693\,RC \approx 0.69t≈0.693RC≈0.69 ms$$
$$0.7·VDD：t≈1.20?RC≈1.2t \approx 1.20\,RC \approx 1.2t≈1.20RC≈1.2 ms$$
$$0.8·VDD：t≈1.61?RC≈1.6t \approx 1.61\,RC \approx 1.6t≈1.61RC≈1.6 ms$$
這 1~2 ms 的延時確保：
上電后 等電源穩定再起跑；
按鍵松開回彈的抖動被 RC 濾掉，不會剛松手就誤判為已高電平。
傳統“復位按鍵抖動”主要發生在松開瞬間，RC 能把高沿拉得更遲緩、更干凈。
為何外部 RC 仍然必要（芯片已帶 POR/BOR）
STM32 確有 上電復位 POR / 檢測 PDR / 掉電復位 BOR，但外部 RC 仍然能提供：
對慢爬升電源或噪聲/浪涌更強的免疫力；
配合 BOOT0（在 NRST 上升沿鎖存）保證其電平已穩定；
可靠的人工復位與調試器控制（ST-Link 的 NRST 為開漏下拉，10 kΩ 不會影響）。
參數怎么選
想更長的上電延時：把 C3 改為 1 μF（得 ~10 ms）、或 R1 改為 47 kΩ（得 ~4.7 ms）。
干擾環境很重（電機、繼電器旁）：可把 C3 提到 220 nF～1 μF；或在 NRST 與芯片腳之間串 100–220 Ω 小電阻以限流、抑制快沿。（多數場景不必加）
按鍵去抖：RC 已基本夠用；若仍不穩，檢查按鍵到地的走線與 ESD 路徑。
布局布線建議
R1 與 C3 緊貼 MCU 的 NRST 腳放置，回地要短直；避免 NRST 線路穿越強噪聲區；必要時用地銅“圍一圈”。
復位按鍵盡量靠近 MCU 一側，長線可并聯 小電容（幾 pF～幾十 pF） 或增加串阻，避免外界耦合。
調試接口（SWD）到 NRST 的線也要短，避免形成天線引入毛刺。
常見問題與診斷
無緣無故復位：多半是 NRST 進了毛刺或 VDD 掉電觸發 BOR；示波看 NRST 是否出現短暫低脈沖，必要時增大 C3。
復位牽連調試異常：R 太小或 C 太大都會讓調試器拉不動或復位釋放太慢；通常 10 kΩ + 100 nF 最穩妥。
上電跑飛：電源爬升慢或 BOOT0 未穩，適當提高 RC 延時，或檢查 BOOT0 的下拉是否足夠（典型 10 kΩ→GND）。
結論：
這套 10 kΩ 上拉 + 0.1 μF 到地 + 復位按鍵 的 NRST 電路，是 STM32 的經典、可靠做法。它在上電、人工復位與抗干擾方面提供恰到好處的延時與濾波，既不影響調試器拉低，也能保證系統在電源穩定后再釋放復位。若現場環境更嚴苛，只需按需微調 R 或 C 即可。
如何理解，當按下按鍵后松開。這個時候電容相當于短路狀態。當電容充滿電后，電容相當于斷路狀態
“電容相當于短路 / 斷路”的理解，來源于電容在不同工作階段的等效電路模型，是一個很重要的電路分析思路
1. 電容的本質
電容的電流、電壓關系是：
$$
i = C \dfrac{dv}{dt}
$$
意思是：電容上的電壓不能突變，電容兩端電壓的變化速度決定了電流大小。
2. 按鍵按下（NRST 拉到 GND）
這時電容一端被拉到 GND，另一端直接和按鍵相連，所以電容被迅速放電，電容兩端電壓接近 0。
在電路角度：電容放電時瞬間電流較大，可以等效為短路，即電容就像一根導線，快速把殘余電荷釋放掉。
3. 松開按鍵（NRST 松開，上拉電阻+電容）
松開后，R1 將電容上端拉向 3.3V。
電容兩端電壓從 0 V 開始充電，上升是一個指數曲線：
$$
V(t) = V_{DD}\left(1 - e^{-t/RC}\right)
$$在剛開始時，電容電壓為 0 V，相當于電容“還沒充電”，此時它阻止電壓突然跳變 → 等效為短路。
隨著電容逐漸充滿電，電流越來越小，最終趨近于 0，相當于斷路（開路），電容兩端電壓穩定在 VDD。
4. 總結直觀理解
剛接通電源或松開按鍵瞬間：電容兩端電壓不能立刻上升 → 電容就像短路，強行“拖住”節點電壓不上升。
電容充電完成后：電流停止流動 → 電容就像開路，不再影響電路。
👉 所以電容在瞬態過程中就是一個“短路到開路的過渡元件”：
瞬態時短路（抑制電壓突變，提供延時），
穩態時開路（不影響直流工作點）。
畫出了一個 等效電路狀態圖，更直觀地展示了電容在 STM32 復位電路中，按鍵松開后從 短路 → 電阻狀 → 開路 的演變過程：
階段 1：松手瞬間（電容≈短路）
電容兩端電壓 = 0 V
電容強行“拖住”NRST 節點不讓它馬上升高 → 等效短路
MCU 保持在復位狀態
階段 2：充電過程（電容=電阻狀）
電容開始充電，電壓逐漸上升
電容阻抗介于 0 ~ ∞ 之間 → 等效成“電阻”
NRST 電壓逐漸爬升，接近閾值（如 0.7·VDD）時，MCU 開始退出復位
階段 3：穩態（電容≈開路）
電容充滿電，電流≈0
電容相當于開路，不再影響電路
此時 NRST 高電平穩定，由上拉電阻維持
📌 這樣你可以很清楚地看到：電容就是通過“先短路、后逐漸放開、最后開路”的方式，保證復位信號有 穩定的低電平保持 + 平滑的釋放上升沿。
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