知識點16：

同上篇一樣，MOS管主要有3個工作區域：

截止區（Cut-off Region）： < ，沒有溝道形成，幾乎沒有電流。

線性區/三極管區（Triode Region）： ?> 且? 較小，溝道完整，電流隨? ?線性增加。

飽和區（Saturation Region）： ?> 且? ?≥ ?? ，溝道在漏極一端被“夾斷”，電流基本不再隨? ???增加而增加（但實際上會略有增加，這就是CLM：溝道長度調制效應Channel Length Modulation）。

MOS管飽和（夾斷）

以NMOS為例，其工作在飽和區電流公式：

即電流主要由柵壓決定，但同時會隨漏壓輕微增長。

組成部分為：

• ?：漏極電流
• ：跨導參數。這是一個由制造工藝決定的常數， =μp?Cox′。
  • • μp ?：空穴遷移率。
    • Cox′?：單位面積的柵氧層電容。
• ?：寬長比，是電路設計者可以調整的核心尺寸參數。
• ( )：過驅動電壓，是柵電壓超出閾值電壓的部分，是驅動晶體管導通的有效電壓。
• λ: 溝道長度調制參數，衡量CLM效應的強度。
• ：飽和區電壓，通常等于?

其中：公式的主體部分 就是理想飽和電流? 。這說明電流主要由柵源電壓 控制（平方關系）。

括號內的部分?[ )]?是一個修正因子。它說明了在? ?超過飽和電壓? ?之后，漏極電流? ??并不會像理想情況那樣完全平坦，而是會隨著? ?的增大而輕微地、線性地增加。

因此在MOSFET的輸出特性曲線圖中（ ??vs? ），飽和區的曲線并非完全水平，而是有一個小小的上揚斜率。這個斜率就是由?λ?參數決定的。λ?越大，斜率越陡，CLM效應越明顯。