全面解析存儲芯片：從Flash到DDR、鐵電、內存條與SD卡

一、存儲芯片分類概述

存儲芯片是電子設備中用于數據存儲的核心組件，根據數據保存方式可分為?易失性存儲器（Volatile Memory）?和?非易失性存儲器（Non-Volatile Memory）。

類型代表芯片特點典型應用
易失性存儲器DRAM、SRAM斷電數據丟失，讀寫速度快內存條（DDR）、CPU緩存（SRAM）
非易失性存儲器NAND Flash、NOR Flash、FeRAM（鐵電）、SD卡斷電數據保留，寫入較慢SSD、U盤、嵌入式存儲、SD卡

二、Flash存儲器詳解

1. NAND Flash vs. NOR Flash

特性NAND FlashNOR Flash
結構串聯結構，高密度并聯結構，支持隨機訪問
讀寫方式按頁讀寫（4KB~16KB）按字節/字讀寫
擦除單位塊（Block, 128KB~4MB）扇區（Sector, 4KB~64KB）
主要用途大容量存儲（SSD、U盤、SD卡）代碼執行（BIOS、MCU固件）

2. 3D NAND技術

  • 傳統2D NAND受限于物理極限，3D NAND通過?垂直堆疊存儲單元?提高容量。

  • 目前主流?200+層，未來將突破300層。

  • QLC（4bit/單元）?和?PLC（5bit/單元）?提高存儲密度，但壽命降低。

3. Flash存儲應用

  • SSD（固態硬盤）：采用NAND Flash，速度快于HDD。

  • SD卡 / eMMC / UFS：用于手機、相機等便攜設備。

  • 嵌入式存儲：如智能手表、IoT設備。

4. 核心參數

參數說明典型值/范圍
存儲類型SLC/MLC/TLC/QLCSLC（高性能）、QLC（高容量）
容量存儲空間大小1GB~2TB（NAND）、1Mb~2Gb（NOR）
接口通信協議SPI、ONFI（NAND）、Parallel（NOR）
頁大小（NAND）單次讀寫數據量4KB~16KB
塊大小（NAND）擦除單位128KB~4MB
擦寫壽命（P/E Cycles）可擦寫次數SLC: 10萬次 / QLC: 100~300次
讀取延遲數據讀取時間NOR: 50~100ns / NAND: 25~100μs
寫入速度數據寫入速率NAND: 50~500MB/s（TLC SSD）
工作電壓供電要求3.3V / 1.8V（低功耗版本）

插播：

一、基本概念區別

特性SLC (Single-Level Cell)QLC (Quad-Level Cell)
定義每個存儲單元存儲1bit數據每個存儲單元存儲4bit數據
電壓狀態數2種（0/1）16種（0000~1111）
技術復雜度簡單復雜（需精密電壓控制）

二、關鍵性能對比

1. 壽命與耐久性

參數SLCQLC
P/E Cycles?(擦寫次數)50,000~100,000次100~1,000次
數據保持時間?(斷電后)10年以上1~3年（需定期刷新）
適用場景工業/航天等高可靠性領域消費級大容量存儲

📌?P/E Cycle差異原因：
QLC因每個單元存儲4bit，電荷干擾更嚴重，導致氧化層退化更快。

2. 速度表現

操作類型SLCQLC
寫入延遲25μs500μs~2ms
讀取延遲25μs50μs
實際寫入速度高速（無需糾錯）較慢（需復雜ECC）

???QLC的"寫入放大"問題：
由于需多次電壓調整才能寫入4bit數據，實際寫入量可能達理論值的4倍。

3. 容量與成本

參數SLCQLC
單位容量成本極高（$0.5~1/GB）極低（$0.03~0.1/GB）
同芯片面積容量1X4X
典型產品工業級SSD、軍工設備消費級SSD、U盤

三、技術實現差異

1. 電壓控制技術

  • SLC：只需區分2種電壓狀態（如0V=0，3V=1）

  • QLC：需精確識別16種電壓狀態（如0.2V間隔區分"0110"和"0111"）

2. 糾錯機制(ECC)

類型SLC需求QLC需求
ECC強度BCH糾錯（1bit/KB）LDPC糾錯（20bit/KB）
開銷<5%容量15~25%容量

四、應用場景對比

? SLC適用場景

  • 工業自動化（PLC控制）

  • 航空航天黑匣子

  • 金融交易日志存儲

  • 高寫入頻率的服務器緩存

? QLC適用場景

  • 家用NAS/視頻監控存儲

  • 大容量游戲SSD（如4TB SSD）

  • 冷數據備份（歸檔存儲）

  • 消費級外置硬盤

五、未來發展趨勢

  1. SLC：逐漸被?3D XPoint/Optane?替代（更高速度+更長壽命）

  2. QLC：向?PLC（5bit/單元）?演進，但需解決壽命問題

  3. 混合方案：

    • 企業級SSD采用?SLC緩存+QLC主存儲

    • 如三星980 Pro的"TurWrite"技術

六、選型決策樹

總結

  • 選擇SLC：當需要?高可靠性、長壽命、快速響應（不計成本）

  • 選擇QLC：當需要?超大容量、低成本（可接受性能妥協）

  • 折中方案：企業級TLC（如三星870 EVO）兼顧性能與成本

5. 應用匹配建議

  • SSD/大容量存儲?→?3D TLC/QLC NAND + 高速接口（PCIe/NVMe）

  • 嵌入式代碼存儲?→?NOR Flash（隨機讀取快）

  • 工業級設備?→?SLC NAND（高耐久）

插播：

那nand flash和nor flash又有什么區別呢？

一、基礎結構差異

特性NAND FlashNOR Flash
晶體管連接方式串聯結構（類似NAND門）并聯結構（類似NOR門）
單元密度高（存儲單元緊密排列）低（需要獨立位線連接）
典型容量1Gb~1Tb（3D NAND）1Mb~2Gb

🔍?結構影響：
NOR的并聯結構使其支持隨機訪問，但犧牲了密度；NAND的串聯結構實現高密度，但必須按塊存取。

二、關鍵性能對比

1. 訪問特性

參數NAND FlashNOR Flash
讀取方式頁讀取（4KB~16KB）字節/字隨機讀取
讀取延遲25-100μs50-100ns
寫入單位頁（通常2KB~16KB）字節/字（可單bit寫）
擦除單位塊（128KB~4MB）扇區（4KB~64KB）

2. 速度與壽命

指標NANDNOR
寫入速度快（50-500MB/s）慢（0.1-5MB/s）
擦除速度快（1-2ms/塊）慢（0.5-1s/扇區）
擦寫壽命1K~100K次（依類型）10K~1M次

3. 接口與功耗

特性NANDNOR
典型接口ONFI/Toggle（并行）、NVMeSPI、Parallel
工作電流高（寫入時達50mA）低（<10mA）
待機功耗極低（μA級）較低（μA~mA級）

三、技術實現差異

1. 存儲單元操作

  • NOR：
    可直接對任意地址編程，無需先擦除（除非從1改0）
    采用熱電子注入（Hot Electron Injection）寫入

  • NAND：
    必須按"擦除→寫入"順序操作
    采用Fowler-Nordheim隧穿機制

2. 錯誤處理

類型NANDNOR
ECC需求必須（LDPC/BCH糾錯）可選（簡單校驗）
位錯誤率較高（需強ECC）極低

四、應用場景對比

? NOR Flash核心應用

  1. 代碼執行（XIP）

    • 嵌入式系統啟動代碼（BIOS/U-Boot）

    • 物聯網設備固件（如ESP32）

  2. 實時性要求高的場景

    • 汽車ECU（發動機控制單元）

    • 工業PLC

? NAND Flash核心應用

  1. 大容量數據存儲

    • SSD固態硬盤（SATA/NVMe）

    • eMMC/UFS（手機存儲）

  2. 低成本存儲方案

    • U盤、SD卡

    • 監控錄像存儲

五、選型決策指南

六、市場發展趨勢

  1. NOR Flash：

    • 向55nm以下工藝演進

    • 新興應用：TWS耳機、AIoT設備

  2. NAND Flash：

    • 3D堆疊層數突破200+層

    • QLC/PLC技術提升容量但犧牲壽命

  3. 跨界技術：

    • NOR-like NAND（如華邦的Serial NAND）

    • Xccela NOR（高速并行接口）

七、典型型號示例

類型代表型號關鍵參數
SPI NORWinbond W25Q128JV128Mb, 104MHz SPI
Parallel NORMicron MT28EW256ABA256Mb, 100ns訪問時間
SLC NANDKioxia TC58BVG0S3HTA001Gb, 50μs讀取延遲
TLC NAND三星980 PRO SSD1TB, 7000MB/s (PCIe 4.0)

總結：如何選擇？

  • 選NOR當：
    ? 需要芯片內執行代碼（XIP）
    ? 要求μs級隨機讀取
    ? 系統可靠性優先（如醫療設備）

  • 選NAND當：
    ? 需要TB級大容量存儲
    ? 追求GB/s級順序讀寫
    ? 成本敏感型應用（消費電子）

三、DDR內存（DRAM）

1. DDR發展歷程

標準速率（MT/s）電壓主要改進
DDR3800~21331.5V低功耗，高帶寬
DDR41600~32001.2V更高頻率，更節能
DDR53200~6400+1.1V雙通道設計，帶寬翻倍

2. DDR vs. LPDDR（低功耗DRAM）

  • DDR：用于PC、服務器（DIMM內存條）。

  • LPDDR：用于手機、平板（焊接到主板）。

3. 內存條（DIMM/SO-DIMM）

  • DIMM：臺式機內存（DDR4/DDR5）。

  • SO-DIMM：筆記本/小型設備內存（更小尺寸）。

4. 核心參數

參數說明典型值/范圍
類型DDR4/DDR5/LPDDR4XDDR5（最新高性能）
容量單條存儲大小4GB~128GB（DIMM）
頻率數據傳輸速率DDR4: 1600~3200MHz / DDR5: 4800~8400MHz
時序（CL值）延遲（CAS Latency）DDR4: CL15~22 / DDR5: CL40~50
電壓工作電壓DDR4: 1.2V / LPDDR4X: 0.6V
通道數并行數據通道單通道/雙通道/四通道
ECC支持錯誤校驗服務器級DRAM需ECC

5. 應用匹配建議

  • PC/服務器?→?DDR4/DDR5 DIMM（高帶寬）

  • 手機/平板?→?LPDDR5（低功耗）

  • 嵌入式系統?→?LPDDR4X（小型化封裝）

四、鐵電存儲器（FeRAM / FRAM）

1. 鐵電存儲原理

  • 利用?鐵電材料的極化特性?存儲數據，兼具?RAM的速度 + Flash的非易失性。

  • 無需擦除，直接覆蓋寫入，比Flash更快。

2. FeRAM vs. Flash

特性FeRAMFlash
寫入速度極快（~100ns）較慢（~ms級）
擦除方式無需擦除需先擦除再寫入
壽命10^12次10^3~10^5次
容量較小（Mb級）大（Gb~Tb級）

3. 應用場景

  • 實時數據記錄（工業傳感器、醫療設備）。

  • 替代EEPROM（智能卡、RFID標簽）。

4. 核心參數

參數說明典型值/范圍
容量存儲空間4Kb~64Mb
讀寫速度數據訪問時間100ns（比Flash快1000倍）
耐久性可寫入次數10^12次（遠超Flash）
接口通信協議SPI/I2C/Parallel
工作電壓供電要求1.8V~3.3V
數據保持斷電保存時間10年以上

5. 應用匹配建議

  • 實時數據記錄?→?FeRAM（如醫療設備、智能電表）

  • 替代EEPROM?→?SPI FeRAM（更高速度）

五、SD卡（Secure Digital Card）

1. SD卡標準

類型最大容量速度等級用途
SD2GBClass 2~10老式相機
SDHC32GBUHS-I/UHS-II高清攝像
SDXC2TBUHS-II/V904K視頻
microSD1TBA1/A2（隨機IO優化）手機、無人機

2. 速度等級

  • Class 10：最低10MB/s（普通拍照）。

  • UHS-I：104MB/s（1080p視頻）。

  • V90：90MB/s（8K視頻拍攝）。

3. 應用場景

  • 手機存儲擴展（microSD）。

  • 相機/無人機（高速SD卡）。

  • 樹莓派/嵌入式系統（OS啟動盤）。

4. 核心參數

參數說明典型值/范圍
容量存儲空間32GB~1TB（SDXC）
速度等級持續寫入速度Class 10（10MB/s）、V90（90MB/s）
總線接口數據傳輸協議UHS-I（104MB/s）、UHS-II（312MB/s）
應用性能等級隨機IOPSA1（1500 IOPS）、A2（4000 IOPS）
耐久性可寫入數據量100~3000次P/E周期

5. 應用匹配建議

  • 4K攝像機?→?V90 SD卡（高持續寫入）

  • 手機擴展存儲?→?UHS-I A2 microSD（高隨機性能）

  • 工業設備?→?工業級SD卡（寬溫支持）

六、存儲芯片未來趨勢

  1. DDR6研發（預計2025年后商用，更高帶寬）。

  2. 3D XPoint/Optane（Intel/美光聯合開發，介于DRAM和NAND之間）。

  3. MRAM/ReRAM（新型非易失存儲，可能替代部分Flash）。

  4. QLC/PLC SSD普及（更高容量，但壽命降低）。

七、存儲芯片選型指南

需求推薦存儲類型
高速緩存SRAM / DRAM（DDR）
大容量存儲NAND Flash（SSD/SD卡）
低功耗嵌入式存儲NOR Flash / FeRAM
超高速存儲3D XPoint（Optane）
工業級數據記錄FeRAM / MRAM

總結

  • Flash?是大容量存儲的主流（SSD、SD卡）。

  • DDR?是計算機內存核心（DDR5未來趨勢）。

  • FeRAM?適合高速、長壽命場景（工業設備）。

  • SD卡?仍是便攜設備存儲首選（V90適合專業攝像）。

如何選擇存儲芯片？

  • 需要大容量存儲？?→?NAND Flash（SSD/SD卡）

  • 需要超高速緩存？?→?DRAM（DDR5/LPDDR5）

  • 需要超長壽命+非易失？?→?FeRAM

  • 需要低功耗嵌入式存儲？?→?NOR Flash / FeRAM

  • 需要便攜存儲？?→?高速SD卡（V90/UHS-II）

未來存儲技術將向?更高速度、更低功耗、更長壽命?發展，新型存儲（MRAM、ReRAM）可能改變市場格局。

補充：

eMMC存儲芯片全解析：關鍵參數、分類與應用指南

一、eMMC核心概念

eMMC（embedded MultiMediaCard）?是一種集成了Flash存儲和控制器的嵌入式存儲解決方案，采用BGA封裝直接焊接在主板上，主要替代傳統SD卡/RAW NAND方案。

主要構成

  • NAND Flash：存儲介質（通常為TLC/MLC）

  • Flash控制器：集成ECC、磨損均衡、壞塊管理

  • 標準接口：遵循JEDEC eMMC標準協議

二、eMMC關鍵參數詳解

1. 容量與版本

參數典型值說明
容量16GB~256GB（主流）工業級可達512GB
eMMC版本4.5 / 5.0 / 5.1 / 5.2版本越高性能越強
總線寬度8-bit固定配置

2. 性能參數

參數eMMC 5.1eMMC 5.2
接口速度400MB/s (HS400)600MB/s (HS400+)
順序讀速度250MB/s350MB/s+
順序寫速度125MB/s200MB/s+
隨機讀IOPS7K~15K10K~20K
隨機寫IOPS2K~5K5K~10K

3. 可靠性參數

參數消費級工業級
擦寫壽命500~3K P/E cycles3K~10K P/E cycles
工作溫度0°C~70°C-40°C~85°C
數據保持1~3年10年+
ECC能力8-bit/512B24-bit/1KB

三、eMMC分類對比

1. 按應用場景分類

類型特點代表型號
消費級低成本，適中壽命三星KLMBG2JETD-B041
工業級寬溫支持，高耐久鎧俠THGAMFT0L43BAIR
車規級AEC-Q100認證，抗震動美光MTFC16GAKAECN-4MWT

2. 按NAND類型分類

類型優勢劣勢
MLC eMMC高壽命（3K+ P/E）成本高，容量較小
TLC eMMC大容量，低成本壽命較短（500-1K P/E）
3D NAND eMMC更高密度，更低功耗需復雜ECC支持

四、eMMC典型應用場景

1. 移動設備

  • 智能手機：作為主存儲（如64GB eMMC 5.1）

  • 平板電腦：低端機型替代UFS方案

  • 智能手表：小容量（16GB）eMMC存儲系統

2. 嵌入式系統

  • IoT設備：Linux系統啟動盤

  • 工控設備：工業級eMMC存儲程序日志

  • 數字標牌：廣告內容存儲

3. 汽車電子

  • IVI系統：車載信息娛樂存儲地圖數據

  • T-Box：車聯網數據緩存

4. 其他領域

應用推薦規格特殊要求
智能家居中控32GB eMMC 5.1高溫度適應性
醫療設備工業級128GB MLC eMMC數據加密功能
無人機64GB HS400 eMMC抗震動設計

五、eMMC選型決策樹

六、eMMC與替代方案對比

特性eMMCUFSRAW NAND
接口速度600MB/s (5.2)2.9GB/s (UFS 3.1)依賴控制器設計
隨機性能低（<20K IOPS）高（>50K IOPS）可變
開發難度簡單（集成FTL）中等復雜（需自研FTL）
成本低中高最低（裸片價格）

七、未來發展趨勢

  1. eMMC 5.2普及：HS400+模式提升至600MB/s

  2. QLC NAND應用：增大容量但需更強ECC

  3. 安全功能增強：支持硬件加密（RPMB分區）

  4. 工業級需求增長：-40°C~105°C寬溫型號

💡?行業建議：
2024年后新項目建議優先考慮UFS 2.2/3.1（性能優勢明顯），但對成本敏感且無需高性能的場景仍可選用eMMC。

本文來自互聯網用戶投稿，該文觀點僅代表作者本人，不代表本站立場。本站僅提供信息存儲空間服務，不擁有所有權，不承擔相關法律責任。
如若轉載，請注明出處：http://www.pswp.cn/news/913300.shtml
繁體地址，請注明出處：http://hk.pswp.cn/news/913300.shtml
英文地址，請注明出處：http://en.pswp.cn/news/913300.shtml

如若內容造成侵權/違法違規/事實不符，請聯系多彩編程網進行投訴反饋email:809451989@qq.com，一經查實，立即刪除！

相關文章

編譯ADI NO-OS工程

編譯ADI NO-OS工程

1&#xff0c;先在WINdows下安裝git bush 可以參考下面博客 https://blog.csdn.net/Natsuago/article/details/145647536 2.安裝make 工具 可參考一下鏈接 https://blog.csdn.net/weixin_40727233/article/details/110353240 3&#xff0c;參考ADI官方鏈接 https://wiki.analo…
閱讀更多...
自存bro code java course 筆記(2025 及 2020)

自存bro code java course 筆記(2025 及 2020)

Java Full Course for free ? System 是 Java 中的一個 final 類&#xff0c;定義在 java.lang 包中。它的 構造方法是 private 的&#xff0c;意味著你無法通過 new System() 來創建對象。它的所有常用成員&#xff08;如 System.out, System.in, System.err, currentTimeMil…
閱讀更多...
opencv基礎的圖像操作

opencv基礎的圖像操作

目錄 1.安裝opencv-python 2.基礎的圖像操作 3.繪制幾何圖形 3.1.繪制直線 3.2.繪制矩形 3.3.繪制圓形 3.4.向圖像中添加文字 總結 1.安裝opencv-python pip install -i https://pypi.tuna.tsinghua.edu.cn/simple opencv-python 2.基礎的圖像操作 # 導入庫 import c…
閱讀更多...
Kali制作Linux木馬

Kali制作Linux木馬

環境描述&#xff1a;攻擊機&#xff1a;kali-Linux2025靶機&#xff1a;Linux-Centos8本文章主要介紹怎么通過kali制作Linux木馬控制linux&#xff0c;不要用于非法用途&#xff0c;法律是底線不要觸碰&#xff0c;提升自己的網絡安全技能&#xff0c;如有用于非法用途自行承擔…
閱讀更多...
常見user agent

常見user agent

常見user agent pc端ua chrome “Mozilla/5.0 (Windows NT 6.1; WOW64) AppleWebKit/537.36 (KHTML, like Gecko) Chrome/39.0.2171.71 Safari/537.36”“Mozilla/5.0 (X11; Linux x86_64) AppleWebKit/537.11 (KHTML, like Gecko) Chrome/23.0.1271.64 Safari/537.11”“Mo…
閱讀更多...
Windows 11 Enterprise LTSC 轉 IoT

Windows 11 Enterprise LTSC 轉 IoT

Windows 11 Enterprise LTSC 轉 Windows 11 IoT Enterprise LTSC 微軟官方并未給出Windows 11 IoT Enterprise LTSC中文版的鏡像文件&#xff0c;但可以通過Windows 11 Enterprise LTSC版本的進行轉換。 二者主要區別概覽 特性Windows 11 Enterprise LTSCWindows 11 IoT Ent…
閱讀更多...
【手動安裝并啟動后， 如何查看mysql數據庫密碼以及重置密碼（centos8）】

【手動安裝并啟動后， 如何查看mysql數據庫密碼以及重置密碼（centos8）】

在 CentOS 8 上手動安裝 MySQL 后&#xff0c;初始密碼的位置取決于安裝方式。以下是查找密碼的步驟&#xff1a; 1. 通過 yum/dnf 安裝的 MySQL 8.0 如果使用官方 RPM 源安裝&#xff0c;初始密碼會在安裝時自動生成并記錄在日志中&#xff1a; # 查看 MySQL 初始密碼 sudo…
閱讀更多...
STM32第十四天串口

STM32第十四天串口

一&#xff1a;串口發送字符和字符串和printf重定向 usart.c #include "stm32f10x.h" #include "usart.h" #include "stdio.h"void my_usart_Init()//千萬不要和32庫里面串口定于的名字一樣&#xff0c;不然會報錯 {GPIO_InitTypeDef my_usart…
閱讀更多...
ether0 大語言推理模型生成SMILES 的分子

ether0 大語言推理模型生成SMILES 的分子

參考&#xff1a; https://huggingface.co/futurehouse/ether0 ether0 是一個 24B 語言模型&#xff0c;用于用英語進行推理并輸出分子結構作為 SMILES。它源自 Mistral-Small-24B-Instruct-2501 的微調和強化學習訓練。用英語提問&#xff0c;但問題中也可以包含指定為 SMILE…
閱讀更多...
基于AndServer的RPC架構：Android原生SO文件遠程調用實戰指南

基于AndServer的RPC架構：Android原生SO文件遠程調用實戰指南

引言&#xff1a;企業級原生代碼集成的范式革新 在移動混合架構應用中&#xff0c;原生代碼(SO)調用面臨??三重技術瓶頸??&#xff1a; ??環境強耦合??&#xff1a;依賴應用上下文&#xff0c;復用成本增加200%&#xff08;Gartner 2023數據&#xff09;??安全限制…
閱讀更多...
spring-ai 1.0.0 （3）交互增強：Advisor 顧問模塊

spring-ai 1.0.0 （3）交互增強：Advisor 顧問模塊

核心組件 API 由非流式處理方案和 和 流式處理方案組成。 在1.0.0版本中&#xff0c;顧問鏈AdvisorChain相關接口已經棄用&#xff0c;可能是老版本的思想不太合倫理吧 可以使用下面的方式實現多個顧問按oder順序訪問模型 public ChatController(ChatClient.Builder chatClien…
閱讀更多...
【機器學習筆記Ⅰ】2 線性回歸模型

【機器學習筆記Ⅰ】2 線性回歸模型

線性回歸&#xff08;Linear Regression&#xff09;是機器學習中最基礎、最常用的監督學習模型之一&#xff0c;用于解決回歸問題&#xff08;預測連續數值輸出&#xff09;。它的核心思想是通過擬合一條直線&#xff08;或超平面&#xff09;來描述輸入特征&#xff08;自變量…
閱讀更多...
2025.7.6總結

2025.7.6總結

第天&#xff0c;Morning power 1.四四呼吸&#xff0c;做了10分鐘。 2.感恩環節:有兩周沒去新勵成上課了&#xff0c;感謝今天早上去上了當眾講話&#xff0c;遇到了不少老朋友&#xff0c;聊的還蠻開心滴&#xff0c;滿足了我的社交需求。其次&#xff0c;在臺上做了個小面試…
閱讀更多...
RabbitMQ 高級特性之死信隊列

RabbitMQ 高級特性之死信隊列

1. 簡介 在前面的高級特性中&#xff0c;我們介紹了重試機制和 TTL&#xff0c;那么產生下列問題&#xff1a; 在重試機制中&#xff0c;當消費者消費消息發生異常時&#xff0c;會觸發消息重發機制&#xff0c;由于我們配置了最大的重發次數&#xff0c;那么當超過這個次數后…
閱讀更多...
如何選擇合適的工業相機快門種類

如何選擇合適的工業相機快門種類

在工業相機領域&#xff0c;常見的三種快門類型&#xff1a;全局快門&#xff08;Global Shutter&#xff09;、卷簾快門&#xff08;Rolling Shutter&#xff09;以及全局復位式卷簾快門&#xff08;Global - reset rolling Shutter&#xff09;。我們主要來講講全局快門&…
閱讀更多...
uloop源碼剖析

uloop源碼剖析

uloop是libubox庫的核心模塊&#xff0c;libubox是OpenWrt基礎庫之一&#xff0c;用來提供事件驅動、基礎數據結構等。 uloop支持文件描述符監控、超時定時器、子進程管理、信號處理事件、間隔定時器等五大核心功能。 主體框架 uloop循環的主體框架有三個函數構成&#xff0c…
閱讀更多...
Mac電腦 虛擬機 VMware Fusion13

Mac電腦 虛擬機 VMware Fusion13

VMware Fusion mac 不僅能讓你在Mac蘋果電腦上運行Windows或Linux系統、使用非Mac平臺的應用&#xff0c;而且還可以支持各種USB硬件設備。 原文地址&#xff1a;VMware Fusion 13 Mac虛擬機
閱讀更多...
嵌套容器是隱射宿主機的路徑而不是容器的路徑

嵌套容器是隱射宿主機的路徑而不是容器的路徑

嵌套容器是隱射宿主機的路徑而不是容器的路徑 為什么&#xff1f;容器中的 Docker 運行流程 為什么&#xff1f; 這個問題涉及 Docker 的工作原理&#xff0c;特別是嵌套容器的行為。讓我們逐步分析為什么在容器內部啟動其他容器時&#xff0c;文件系統的掛載行為是基于 宿主機…
閱讀更多...
Go語言--語法基礎6--基本數據類型--切片類型

Go語言--語法基礎6--基本數據類型--切片類型

Go 語言切片是對數組的抽象。Go 數組的長度不可改變&#xff0c;在特定場景中這樣的集合就不太適用&#xff0c;Go 中提供了一種靈活、功能強悍的內置類型切片 ("動態數組")&#xff0c;與數組相比切片的長度是不固定的&#xff0c;可以追加元素&#xff0c;在追加時…
閱讀更多...
?御控物聯網綜合應用實訓平臺-物聯網系統和實驗室實訓系統?

?御控物聯網綜合應用實訓平臺-物聯網系統和實驗室實訓系統?

在科技飛速發展的今天&#xff0c;物聯網技術已滲透到各個領域&#xff0c;成為推動產業升級和創新發展的重要力量。對于職業教育和科研機構而言&#xff0c;搭建一套完善的物聯網綜合應用實訓系統&#xff0c;培養適應時代需求的物聯網專業人才&#xff0c;顯得尤為迫切。而御…
閱讀更多...
最新文章

Copyright @ 2022~2023