在PECVD工藝中，沉積氧化硅薄膜以SiH?基與TEOS基兩種工藝路線為主。

IMD Oxide（USG）

這部分主要沉積未摻雜的SiO?，也叫USG（Undoped Silicate Glass），常用于IMD（Inter-Metal Dielectric）。

反應路徑包括：

SiH? + O? → SiO?

SiH? + N?O → SiO?

TEOS + O? → SiO?

TEOS + N?O → SiO?

這些都通過 RF激發來沉積 SiO?。

也包括：SiH? + O? → SRO，SRO又名富硅氧化物，Si:O 的原子比大于 1:2，調節 SiH? 與 O? 的比例，可以控制膜中硅的含量。

PMD Oxide

用于 PMD 層，一般摻雜磷（P）或硼（B）以調控應力和流動性。

反應路徑：

SiH? + PH? + O? → SiO? + P?O? + H?

TEOS + TMP + O? → PSG

SiH? + PH? + B?H? + O? → SiO? + P?O? + B?O? + H?

TEOS + TMP + TEB + O? → BPSG

TEOS,TMP,TEB分別是什么？

1，TEOS（TetraEthyl OrthoSilicate）

中文名稱：正硅酸四乙酯

分子式：Si(OC?H?)?

結構特征：

中心原子是硅（Si），連接四個乙氧基（OC?H?）；

易水解，常用于硅氧化物（SiO?）薄膜的前驅體。

2，TMP（TriMethylPhosphate）

中文名稱：三甲基磷酸酯

分子式：PO(OCH?)?

結構特征：

中心是一個磷（P）原子，與一個雙鍵氧（=O）和三個甲氧基（OCH?）相連；

是一種液態有機磷化合物。

3，TEB（TriEthylBorate）

中文名稱：三乙基硼酸酯

分子式：B(OC?H?)?

結構特征：

中心原子是硼（B），連接三個乙氧基（OC?H?）；

易揮發，化學活性高。

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