[電源系列]二、低成本MOS快速關斷電路原理分析
MOS的減速加速電路設計

分享一個微碧在網上看到的電路情況

加速電路1

PMOS關斷時間較長。
當用100kHz的頻率驅動PMOS時，PMOS G極的電壓信號并不是一個脈沖波，PMOS一直處于線性放大的狀態，并且無法關斷。

因此需要電路來快速釋放G、S間電容的電壓來加速關斷PMOS：

當V4輸出高電平，M1導通，R1和R2分壓V3，R8電壓加D2壓降等于R1電壓，R8電壓即為PMOS的VGS，PMOS導通。
當V4輸出低電平，M1關閉，PMOS的S極電壓高于G極，VGS=R1電壓+Q1的Vbe，因此Q1導通，VGS電壓通過Q1快速釋放。

通過上面電路PMOS關斷延時沒有了，但開通速度還是很慢。引入圖騰柱驅動：

當V4輸出高電平，M1導通，V3通過R8、Q2的eb、R2到地，因此Q2導通，PMOS的G極接到地，VGS快速充電，最終電壓為R1和R2分壓V3時R1的電壓。

如果是高低電平直接驅動的：

左圖在控制端從高電平往低電平切換時，Vbe＜0，Q1關斷，放電電流從二極管D流出，Q2開啟；右圖在控制端從低電平往高電平切換時，G極電平不會瞬間變化，此時Vbe＞0.7V，Q1導通，Q1快速將電荷從G極灌入，使G極電平快速上升，達到Q2快速關斷的目的。

加速電路3

當PWM輸入為高時：
三極管Q6導通，電流通過R14、R18、Q6到GND，V1接近約0.3V，V2為R14、R18的分壓。V2通過D2、R17給電容充電，充電完成后電容上的壓降約為R18上的電壓減去D2壓降。Q5的Vbe電壓為D2上的電壓，Q5截止。

當PWM輸入為低時：
三極管Q6截止，由于MOS VGS上由于結電容的存在導致MOS無法快速關斷，V1、V2電壓相等，V1電壓抬升，由于電容上的電壓不能突變，D2截止，所以電容上電壓通過R17、Q5、R18放電，Q5導通，電壓為Q5導通電壓，這樣就實現了MOS的快速關斷。