1. 什么是半導體？

導體，電阻率小，即電流容易通過的材料；Cu

絕緣體，導電性低，即電流不易通過的材料；塑料

半導體，常溫下導電性能介于導體和絕緣體之間，是一種導電可控的材料，硅。

通常溫度升高，半導體的電阻率會隨之降低。

在集成電路中，半導體導電可控特性的實現是通過“摻雜Doping”來實現的。

Si，每個原子最外層有4個電子，在本征硅材料中，每個Si原子與周圍的4個Si原子形成共價結合的穩定結構，在其兩端接電源，幾乎不會有電流，除非加很高電壓。?

?2. 什么是P/N型半導體？

N型半導體，N-negative，是指在純硅中摻雜五價磷元素，電流由帶負電荷的電子運動產生。

通過摻雜，將絕緣體純硅，變為導電可控的半導體材料。?

P型半導體，P-positive，是指在純硅中摻雜三價硼元素，電流由帶正電的空穴運動產生。

（注意：空穴位置的改變，本質上是電子掙脫共價鍵導致的，所以空穴運動的活躍程度不如N型半導體中的自由電子，所以相同摻雜濃度的N型半導體導電性>P型半導體）?

實際上摻雜之后的半導體，還是呈電中性，只是P型空穴多，N型自由電子多。?

3. 什么是PN結？

原理：分子會由濃度高的地方向濃度低的地方擴散。

P區半導體的空穴在濃度差的作用下往N區擴散；N區半導體的電子往P區擴散

半導體中的載流子有兩種運動方式：擴散運動和漂移運動

擴散運動：是指在電中性的半導體中，載流子由濃度高的地方向低的地方運動；

漂移運動：是指在電場的作用下，載流子有規則的定向運動；

擴散運動使得空間電荷區變寬，內建電場變強；內建電場越強，又使得漂移運動越強，導致空間電荷區變窄。最終會達到動態平衡，空間電荷區厚度不變，此區域稱為PN結。

此時，PN結也是不導電的。空間電荷區也叫耗盡層。

此時，擴散電流=漂移電流

當做好一個PN結后，要想實現電流的流動必須打破平衡，施加外部電壓。

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Case1:施加正向電壓，此時內建電場被削弱，外部電場使得擴散運動增強，形成較大擴散電流。

Case2:施加反向電壓，此時內建電場和外加電場一致，擴散運動減弱，漂移運動增強，但漂移運動是少子參加，故反向電流很小。近似分析中忽略不計。

綜上所述，PN結具有單向導電性。

^_^ 關注我，后面繼續介紹 二極管/PMOS/NMOS/CMOS一些基本特性 ^_^