01 前言
華中科技大學王健/劉駿團隊在《Science Advances》發表突破性研究,利用飛秒激光三維打印技術,制造出全球首個聚合物基超緊湊高維量子光芯片。該芯片僅160微米見方(約頭發絲直徑的1.5倍),卻實現了光子空間模式的三維量子邏輯門操作,保真度高達90%。這項技術將傳統量子設備體積縮小千倍,為光量子計算機的集成化邁出關鍵一步。
02 核心內容
1. 傳統量子光學系統的局限 ?
? ?傳統量子門(如基于空間光調制器SLM的系統)體積龐大、對準精度要求高,且需要持續供電,難以集成到小型化量子設備中。 ?
? ?光子的高維量子態(如拉蓋爾-高斯模式)能編碼更多信息,但實現高保真度的量子門操作一直是技術難點。??
2. 創新解決方案:聚合物MPLC芯片 ?
? ?研究團隊采用飛秒激光三維打印(TPP-FLDW)技術,在芯片上直接制造亞微米級三維結構,構建多平面光轉換(MPLC)系統。 ?
? ?結合衍射神經網絡(DNN)設計四層MPLC結構,實現高維量子門(如3D Hadamard門)的高效操作。 ?
? ?優勢:芯片尺寸小(特征尺寸僅1.6微米)、無需外部電源、支持級聯操作,比傳統SLM方案體積縮小數十倍。??
3. 實驗驗證:高保真度量子門 ?
? ?通過單光子源和量子過程層析技術,測得量子門保真度達90%,接近理論極限。 ?
? ?SEM表征顯示芯片結構精度極高(層厚52.22微米,像素尺寸1.58微米),驗證了制造工藝的可靠性。
03 研究意義
?量子計算:高維量子門是高維量子計算的核心,該芯片為構建更強大的量子處理器提供了硬件基礎。 ?
?量子通信:芯片的高集成度可提升量子密鑰分發(QKD)的密鑰率,增強信息安全。 ?
?未來方向:進一步優化結構精度,擴展至更高維量子門(如4D/5D),并推動光量子芯片的商業化應用。
PART.01?芯片結構設計圖
基于TPP FLDW技術制備的DNN超緊湊三維集成量子門示意圖
(A) 超緊湊DNN量子門結構
由四層衍射層構成,采用物鏡將輸入模式縮放到適宜尺寸并聚焦至輸入層。?
(B) TPP基FLDW加工設備
飛秒激光雙光子聚合直寫系統整體裝置。?
(C) 加工設備細節
油浸物鏡浸入光刻膠中完成浸沒式加工流程。?
(D) DNN量子門三維模型
器件物理結構數字化呈現。
PART.02?DNN設計的相位板
DNN量子門訓練集與結果
(A與B)訓練集的強度與相位分布?
強度圖(A)與相位圖(B)?
單位:a.u.(arbitrary units,任意單位)?
(C) 基于BPM的DNN模型訓練所得相位板高度分布
PART.03?實驗光路系統
物理DNN量子門的實驗裝置與表征
(A) 四層DNN量子門完整實驗系統
包含四大模塊:?
單光子源:自發參量下轉換光源?
態制備:SLM調控量子態?
量子門:衍射神經網絡器件(dnnQD)?
測量:投影測量與符合計數
核心光學元件:?
Col.:準直器
PC1/PC2:偏振控制器?
HWP:半波片?
M1-M4:反射鏡?
MRA:直角反射鏡(注:原文MRA應為直角反射鏡)?
L1-L6:透鏡?
Obj.1/Obj.2:物鏡(20×)?
SPD1/SPD2:單光子探測器?
C.C.:符合計數模塊?
(B) DNN量子門工作原理細節
展示光在四層衍射結構中的傳播路徑與相位調制過程。?
(C) DNN量子門實物圖
玻璃基底上的聚合物器件(箭頭標示160μm×160μm有效區域)。?
(D-G) 加工器件的SEM表征?
(D) 頂視電鏡圖(標尺:50μm)?
(E) 斜視角微結構(標尺:20μm)?
(F) 截面層間距測量(52.22μm)
(G) 像素局部形貌(像素尺寸:1.58μm)
PART.04?量子門性能驗證
FLDW制備三維量子門的實驗評估
(A與B) 理想輸入態與實驗輸入態(CMOS相機捕獲)?
(A) 理論模擬輸入態強度分布?
(B) 實測輸入態強度分布?
(C與D) 模擬輸出態與實驗輸出態(CMOS相機捕獲)?
(C) 理論模擬輸出態?
(D) 量子門作用后實測輸出態?
(E) 基于最大似然估計(MLE)的層析矩陣實驗結果
量子過程矩陣的測量重構結果?
(F) 三維H?門重構過程矩陣χ的實部與虛部(保真度90.1%)?
彩色柱:實驗三維H?門χ矩陣?
空心框:理論三維H?門χ矩陣?
特殊標注:負值柱狀圖翻轉顯示(白邊標識)
04 結語
從“跟跑”到“并跑”,中國團隊正用AI+激光開辟量子芯片新賽道。當傳統量子計算還在為“制冷費用”發愁時,這種室溫運行、郵票大小的光量子芯片,或許將率先走進實驗室甚至數據中心。正如論文通訊作者王健教授所說:“我們不僅造出了更小的量子門,更找到了一條通往未來的路。”
DOI: 10.1126/sciadv.adv5718
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