【模擬CMOS集成電路設計】帶隙基準(Bandgap)設計與仿真(基于運放的電流模BGR)

【模擬CMOS集成電路設計】帶隙基準(Bandgap)設計與仿真

  • 前言
    • 工程文件&部分參數計算過程,私聊~
  • 一、 設計指標
    • 指標分析:
  • 二、 電路分析
  • 三、 仿真
    • 3.1仿真電路圖
    • 3.2仿真結果
    • (1)運放增益
    • (2)基準溫度系數仿真
    • (3)瞬態啟動仿真
    • (4)靜態電流仿真
    • (5)線性調整率仿真
    • (6)電源抑制PSR仿真
  • 四、仿真結果匯總
  • 五、總結
  • 六、附件(參數計算+工程文件)

前言

??此次設計,使用電流鏡結構為基礎的 B a n d g a p Bandgap Bandgap 來滿足設計指標,主要目標是在結構簡單的前提下滿足設計指標要求,本文供學習參考。
??關于 B G R BGR BGR 的基礎,可以看【筆記:模擬MOS集成電路】帶隙基準(基本原理+電流模+電壓模電路詳解)

??文末附帶核心管支路關鍵參數計算方法

工程文件&部分參數計算過程,私聊~

一、 設計指標

??本次設計指標,如表1所示

在這里插入圖片描述
??(*線性調節率指輸出基準電壓隨直流VDD的變化率,電源電壓從電路正常工作的最小電壓起到額定電源電壓為止)

指標分析:

??本次Bandgap設計,選用的工藝是 T S M C 18 μ m TSMC 18μm TSMC18μm工藝,采用運放結構為基礎,設計參數要求電源抑制 P S R < ? 50 d B PSR < -50dB PSR<?50dB ,如果不考慮具體電路,可以通過提升運放增益、減小BGR輸出阻抗和Cascode結構提升PSR性能。
??以減小 B G R BGR BGR 輸出阻抗提升 P S R PSR PSR 為例進行電路設計,此時 P S R PSR PSR 和整體功耗相互折中,一方面是運放增益盡可能大,另一方面是因為低的輸出阻抗會需要大的電流偏置,如果PSR要求放寬,功耗可以迅速下降。
考慮到功耗指標,對電流進行分配,自偏置電流鏡兩支路共分配 10 μ A 10 μA 10μA,運放分配 80 μ A 80μA 80μA,兩路核心管分別分配 10 μ A 10μA 10μA ,剩余電流分配給輸出級。
??本次設計電源電壓 3.3 V 3.3V 3.3V,對于TSMC18工藝, “ p m o s 3 v ” “pmos3v” pmos3v 晶體管, NMOS器件,選取 “ n m o s 3 v ” “nmos3v” nmos3v 晶體管。
優化措施也有很多,比如更換運放結構、采用Cascode層疊電流鏡和單位增益的運放輸出buffer等,都可以顯著降低PSR然后減小功耗,但是電路會復雜一丟丟。

二、 電路分析

??通過對表1的指標分析,搭建的電路如圖2.1所示。
在這里插入圖片描述
?? B G R BGR BGR 原理此處不再贅述,關于 B G R BGR BGR 的基礎,參考:

????【筆記:模擬MOS集成電路】帶隙基準(基本原理+電流模+電壓模電路詳解)

??另一個電路結構是采用cascode電流鏡的結構:

????【模擬CMOS集成電路設計】帶隙基準(Bandgap)設計與仿真(基于cascode電流鏡的電流模BGR)

??這種方案的功耗會小很多,此次設計中,因為運放增益相對不高,并沒有把“基于運放結構的BGR”優勢完全發揮出來,最常見的優化措施,放文章末尾了。下面繼續本次設計,輸出電壓可以表示為:
在這里插入圖片描述
??對上式求導,得到
在這里插入圖片描述
??典型情況下, ? V B E / ? T ≈ ? 2 m V / K ?V_{BE}/?T≈-2mV/K ?VBE?/?T?2mV/K,令 ? V r e f / ? T = 0 ?V_{ref}/?T=0 ?Vref?/?T=0,選取合適的 N N N值,可以得到 R 1 / R 4 R_1/R_4 R1?/R4?的關系;然后在 V B VB VB節點應用 K C L KCL KCL,設定核心管的靜態電流 I Q I_Q IQ?,便可解的具體的 R 1 R 3 R_1~R_3 R1??R3?的具體值;最后根據輸出電流鏡的復制比 M M M,乘以靜態電流 I Q I_Q IQ?,得到輸出支路電流 I o u t I_{out} Iout?,最終的參考電壓是 I o u t R 4 I_{out}R_4 Iout?R4?。至此得到 B G R BGR BGR所有設計參數。
??更詳細計算過程,看第六部分內容~

三、 仿真

3.1仿真電路圖

在這里插入圖片描述

3.2仿真結果

(1)運放增益

??通過 a c ac ac 仿真,仿真得到運放的增益為 58.637 d B 58.637dB 58.637dB,仿真結果如圖3.1所示。
在這里插入圖片描述

(2)基準溫度系數仿真

??通過 d c dc dc 仿真,將溫度從 ? 25 -25 ?25~ 125 ℃ 125℃ 125℃進行掃描,觀察輸出波形,溫度特性良好,基準溫度系數: T C V = V m a x ? V m i n V r e f × ( T m a x ? T m i n ) × 1 0 6 = 8.46 p p m / C TCV=\frac{V_{max}-V_{min}}{V_{ref}\times(T_{max}-T_{min})}\times10^{6}=8.46ppm/C TCV=Vref?×(Tmax??Tmin?)Vmax??Vmin??×106=8.46ppm/C,測試結果如圖3.3所示。
在這里插入圖片描述

(3)瞬態啟動仿真

??通過 t r a n tran tran 仿真,通過圖3.4,該電路可正常啟動。
在這里插入圖片描述

(4)靜態電流仿真

??通過 t r a n tran tran 仿真,電路穩定時,所有支路的總電流, 209 μ A 209μA 209μA
在這里插入圖片描述

(5)線性調整率仿真

??通過 d c dc dc 仿真將電源電壓從 0 3.3 V 0~3.3V 0?3.3V 進行掃描,在正常工作電源電壓下,測量輸出線性調整率: S L I N E = V m a x ? V m i n V r e f × 100 % = 1.03 m V / V S_{LINE}=\frac{V_{max}-V_{min}}{V_{ref}}\times100\%=1.03\mathrm{mV/V} SLINE?=Vref?Vmax??Vmin??×100%=1.03mV/V
在這里插入圖片描述

(6)電源抑制PSR仿真

??通過 a c ac ac 仿真,在電源電壓加小信號波動,觀察輸出,測量 P S R PSR PSR,通過圖3.5可知,在低頻為 P S R = ? 50.8 d B PSR = -50.8dB PSR=?50.8dB,最高 P S R = ? 19.4 d B PSR = -19.4dB PSR=?19.4dB
在這里插入圖片描述

四、仿真結果匯總

??本次 B a n d g a p Bandgap Bandgap設計,通過仿真測得相關參數,結果匯總如表2所示。
在這里插入圖片描述

五、總結

??本次Bandgap設計,通過基于運放結構的電路模BGR,因為最終要壓低 P S R PSR PSR,所以減小了負載電阻,為了實現特定輸出電壓,需要進一步提升輸出電流,因此功耗有些高,如前所示,優化措施也有很多,
??(1) 更換運放結構實現更大的增益;
??(2) 采用 C a s c o d e Cascode Cascode 層疊電流鏡復制電流,有效提升 P S R PSR PSR
??(3) 運放和電流鏡柵極之間插入單位增益的運放輸出 b u f f e r buffer buffer 如圖所示。
在這里插入圖片描述

六、附件(參數計算+工程文件)

??私聊~

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