該文的主要發現和結論如下：
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GaN的再結晶特性 ：GaN在離子撞擊區域具有較高的再結晶傾向，這導致其形成永久損傷的閾值較高。在所有研究的電子能量損失 regime 下，GaN都表現出這種傾向，但在電子能量損失增加時，其效率會降低，尤其是在材料發生解離并形成N?氣泡時。
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能量損失閾值 ：文章提出了形成不連續和連續離子跡的電子能量損失閾值，并討論了超過一定閾值后N?氣泡形成的可能。基于模擬和實驗結果，建議在低于25nm的區域假設15keV nm?1為形成永久損傷的閾值，在淺層區域，模擬預測濺射顯著且再結晶效率降低，表面處的閾值低于15keV nm?1。
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表面對損傷的影響 ：在GaN表面附近，由于空洞和坑的形成，再結晶受到阻礙。TTM-MD模型解釋了實驗中觀察到的軌跡形態，包括深層區域的不連續性和淺層區域的空洞形成，以及能量損失閾值的差異。
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模型驗證 ：TTM-
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