依公知及經驗整理，原創保護，禁止轉載。

專欄 《深入理解NAND Flash》

?

1. 回首

漠然回首，從事存儲芯片行業已多年，這些年寶貴的青春都獻給了閃存。

我剛入行的時候，也是萌新一個，彷佛大學學的都沒有和這相關的，一切都 Reset 歸零了。這不怪大學教育，是整個國情如此，我們缺少半導體的搖籃，所以才會被卡脖子。

專欄初衷？

看過周星馳電影《功夫》應該都熟悉這段臺詞。

寫這個專欄的初衷便是，對于多年的所學進行總結復盤。曾經青絲飄逸，現今發際飄去，以此欄致敬我的青春。也希望它能帶少年們入門存儲的殿堂，走過我做走過的路，避開我填過的坑。

我吹過你吹過的風

這算不算相擁

我走過你走過的路

這算不算相逢

2. 閃存類別
   我們先從下圖看下閃存芯片分類吧， 從材質到產品五花八門，種類繁多， 怎么從眾多門類中提取出共性與差異，對于我們入門閃存事半功倍。
   

??

本專欄專注于NAND Flash 的特性和實踐。

3. 閃存學習路線
   

NAND 閃存發明，才有了我們現如今用的智能手機的高速大容量內存(eMMC、UFS)的順滑體驗，以及電腦固態硬盤（SSD）的流暢。NAND閃存這項發明已經徹底改變了我們的生活、工作和娛樂方式。

閃存介質分為NOR FALSH 和 NAND FALSH。Intel于1988年開發出NOR Flash 技術，改變了原先由EPROM(電可編程序只讀存儲器)一統天下的局面。1989年，東芝公司發表了NAND Flash 結構

在每個閃存芯片中都有海量的存儲單元。閃存記錄數據的關鍵在于浮柵層，當其中被充滿電子時是已編程（寫入）狀態，代表二進制0；當其中沒有電子時是已擦除狀態，代表二進制1。通過施加特定的電壓， 可以根據導通狀態，知曉里面是否有電子。并可以通過儲存電荷和釋放電荷， 來實現寫、讀、擦工作原理。

3.2 學習側重點：

了解

了解閃存歷史
了解閃存產品
了解閃存工作原理
閃存失效模式分析
控制器基本知識
掌握

閃存組織架構
不同生產工藝閃存的特點：延遲、壽命、誤碼、讀寫方式
指令集， 不止會用到基本讀寫擦， 還要學會各種并行操作， 如：
順序頁之間 Cache Program/Read
多Plane 并行寫、并行讀
多CE interleave 并行寫、并行讀
多通道并行寫、并行讀
閃存特性以及應用管理機制
因為作者知識有限，如有遺漏或錯誤， 請大家給我留言，我會查缺補漏，持續完善。

免責聲明：

?
<<<< 返回總目錄 <<<<

參考