2025年5月19日，西安電子科技大學的Ling Lv等人在《IEEE Transactions on Electron Devices》期刊發表了題為《Single-Event Effects of AlGaN/GaN HEMTs Under Different Biases》的文章，基于實驗和TCAD仿真模擬方法，研究了單粒子效應對關斷狀態、半開啟狀態和開啟狀態下AlGaN/GaN HEMT器件的影響，實驗和仿真結果表明，在不同漏源電壓下，單粒子效應會導致器件出現非破壞性、漏電流退化和災難性故障三個區域，其中關斷狀態下器件的峰值電場最大，且在高偏壓下電流收集更為顯著，進一步證實了關斷狀態下單粒子效應的嚴重性，研究表明高單粒子瞬態電流可在關斷狀態下導致器件永久損壞，使器件漏電流增加，該研究的結果對理解AlGaN/GaN HEMTs在單粒子效應下的性能退化機制以及提升其在輻射環境中的可靠性具有重要意義，為器件的可靠性評估和設計優化提供了關鍵數據支持。

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本文的主要創新點和結論如下：

主要創新點：

1. 系統性研究：本研究首次