隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。

據《Business Korea》援引行業消息來源稱，NAND閃存市場的競爭正在加劇，而存儲巨頭三星和SK海力士正加緊努力，以提升NAND產品的性能和容量。今年4月，三星確認已開始大規模生產其第九代垂直NAND（V-NAND），這是一種三層單元（TLC）產品，單芯片容量達到1Tb，與第八代V-NAND相比，該產品的位密度提高了約50%，堆疊層數達到了290層。

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根據《Business Korea》5月20日的報道，三星計劃以其第九代V-NAND主宰AI固態硬盤（SSD）市場，目標在第二季度開發并試產超大容量的64TB SSD。

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到了5月中旬，三星甚至透露了到2030年推出超過1000層的先進NAND閃存的目標。據Wccftech早前報道，這家韓國內存巨頭計劃在NAND制造中應用新型鐵電材料。

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另一方面，目前NVIDIA H100解決方案所需的HBM3供應主要由SK海力士提供，這導致在滿足快速增長的AI市場需求方面出現供應短缺。

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繼在HBM領域確立領導地位后，《Business Korea》報道稱，SK海力士現在也瞄準了在NAND領域的AI存儲市場占據主導地位。

值得注意的是，SK海力士最近在開發ZUFS 4.0方面取得了突破，這是一種針對具備AI功能的智能手機設計的內置AI移動NAND解決方案，預計將于第三季度開始大規模生產，此消息來源于TheElec。

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