1、實驗Flash在線編程實驗一實驗目的1進一步熟悉MT-IDE嵌入式開發系統環境、匯編、C語言、調試方式。2進一步學習SCI通信的內容。3掌握Flash存儲器在線編程的基本概念。4熟悉GP32芯片Flash存儲器的在線編程擦除和寫入的步驟。5理解課本中的程序代碼。二預習要求1仔細閱讀本實驗指導書。2通過預習，熟悉GP32芯片flash在線編程的方法。3根據實驗內容要求編寫好程序，為實驗做充分地準備。三實驗設備及其連接1PC機一臺2MT-IDE嵌入式開發系統一臺3串行通信線一根四實驗內容1理解Flash在線編程的原理和過程。2運行與理解各子程序。3主程序運行課本的樣例程序。4編制一個程序。通過PC機的串口將數據發送到MCU，然后將接收到的數據寫入到flash中以地址0x8000開始的一頁。最后將寫入的數據讀出發送到PC端校驗。五編程提示1按照結構要求寫好編程代碼和注釋。2在對Flash擦除和寫入時要嚴格按照手冊上的時序和步驟來編制子程序。(1)頁擦除操作下面過程可以擦除GP32的Flash存儲器的一頁(128字節): $2FLCR(1ERASE位，0MASS位):進行頁面擦除； 讀Flas。

2、h塊保護寄存器FLBPR； 向被擦除的Flash頁內任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向待擦除頁首地址寫入0； 延時tnvs(10s)； $AFLCR(1HVEN位)； 延時terase(1ms)； $8FLCR(0ERASE位)； 延時tnvh(5s)； $0FLCR(0HVEN位)； 延時trcv(1s)，完成一頁的擦除操作。(2)整體擦除操作下面過程擦除GP32的整個Flash區域，以便把新的程序裝入Flash存儲器，這是應用系統研制過程中開發工具對GP32編程的準備工作。 6FLCR(1ERASE位，1MASS位):進行整體擦除； Flash塊保護寄存器FLBPR； 向被擦除的Flash任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向首地址寫入0； 延時tnvs(10s)； $EFLCR(1HVEN位、MASS位、ERASE位)； 延時tMerase(4ms)； $CFLCR(0ERASE位)； 延時tnvhl(100s)； $0FLCR(0HVEN位、MASS位)； 延時trcv(1s)，完成整體擦除操作。(3)編程操作MC68HC908GP32的Flash編程操作以行(64。

3、字節)為單位進行的。當然，一次寫入可以小于一行，但不能大于一行。對于已經寫過的部分未經擦除不能重新寫入變更其數據，否則將引起數據出錯。寫入過程如下:a. $1FLCR(1PGM位)；b. 讀Flash塊保護寄存器FLBPR；c. 向將要寫入的Flash行內任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向行首地址寫入0，這一步選定了所要編程的行，以下的目標地址必需在這一行中；d. 延時tnvs(10s)；e. $9FLCR(1HVEN位)；f. 延時tpgs(5s)；g. 待寫數據寫入對應的Flash地址；h. 延時tprog(30s)，完成一個字節的寫入(編程)工作；i. 重復g、h，直至同一行內各字節寫入完畢；j. $8FLCR(0PGM位)；k. 延時tnvh(5s)；l. $0FLCR(0HVEN位)；m. 延時trcv(1s)以后，完成本行寫入工作，可以讀出校驗。3在實際調用擦除或寫入子程序時，由于要對flash加高壓，此時對flash的讀寫是不穩定的，所以要將其移到ram區執行。六實驗報告要求1小結GP32的flash編程的原理及方法。2回答下列問題(1)flash在線編程的過程中有哪些注意點？(2)當用flash區存儲一些需要變動的參數時，應如何注意哪些問題？。

《蘇州大學實驗報告-實驗flash在線編程實驗》由會員自***分享，可在線閱讀，更多相關《蘇州大學實驗報告-實驗flash在線編程實驗》請在金鋤頭文庫上搜索。