NAND閃存(NAND Flash)是什么？
NAND閃存（NAND Flash）詳解
NAND閃存是一種非易失性存儲介質（斷電不丟失數據），廣泛應用于SSD、U盤、手機存儲等設備中。NAND Flash 的全稱是 “Negative-AND Flash”（與非型閃存），其名稱源自其底層存儲單元的電路結構——基于**“與非門”（NAND Gate）**邏輯設計。它通過晶體管浮柵捕獲電荷來存儲數據，具有高密度、低成本的優勢，是現代數字存儲的基石。
?? NAND閃存的核心原理
1. 基本存儲單元
- 浮柵MOSFET：
每個存儲單元包含一個浮柵晶體管，通過注入或釋放電子表示0或1。- 編程（寫）：高電壓將電子注入浮柵（變為
0）。 - 擦除：強電場清除浮柵電子（恢復為
1）。
- 編程（寫）：高電壓將電子注入浮柵（變為
2. 存儲類型
| 類型 | 每單元比特數 | 壽命（P/E周期） | 成本 |
|---|
)
